Составители:
Рубрика:
18
Благодаря синфазности парциальных поверхностных волн, воз'
бужденных ВШП и отраженных отражательными структурами, в
подложке под структурой образуется стоячая волна с периодом, рав'
ным удвоенному периоду отражательной структуры (ОС). Условия
фазового синхронизма для отраженных волн выполняются только в
узкой полосе частот вблизи
≈
0ПАВ
/(2 )fV p
. В этой же полосе частот
происходит резкое изменение входной проводимости резонатора и, как
следствие, параметра S
11
(ω) матрицы рассеяния устройства (рис. 1.13).
Коэффициенты матрицы рассеяния являются комплексными ве'
личинами и широко используются для описания свойств пассивных
многополюсников. Параметр S
11
(ω) имеет смысл коэффициента от'
ражения падающей высокочастотной волны напряжения от нагруз'
ки, которой является резонатор. При идеальном согласовании отра'
Рис. 1.12. Топология одновходового резонатора
Рис. 1.13. Модуль S
11
(
ωω
ωω
ω) одновходового резонатора
– 2 дБ
– 4 дБ
– 6 дБ
– 8 дБ
–10 дБ
–12 дБ
100,0 MHz 100,2 MHz 99,8 MHz
S ,
11
11
S max = – 0,3дБ
Вход
(Выход)
ВШП
ОС
ОС
2p
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »
