Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 86 стр.

UptoLike

Составители: 

86
Используя эквивалентную электрическую схему фильтра и вели'
чины входных проводимостей, определенных из системы уравнений
(4.14), можно рассчитать S'параметры фильтра и компоненты мат'
рицы проводимостей фильтра
1
Y
. На рис. 4.12 (кривая 1) изображе'
на амплитудно'частотная характеристика фильтра, выполненного
по топологии рис. 4.8 и включенного в 50'омный тракт так, что вы'
ход 1 и выход 2 соединены. Для сравнения, на рис. 4.12 (кривая 2),
изображена действительная часть проводимости
11
Re{ ( )}Yf фильтра.
Основные параметры топологии фильтра следующие: апертура
ВШП 45 λ
0
; полупериод преобразователей ВШП'А, ВШП'В, ВШП'С
одинаков и равен 1,03 мкм; преобразователь ВШП'А состоит из 39
электродов, а преобразователи ВШП'В и ВШП'С состоят из 27 элек'
тродов каждый; отражающая структура ОС'В включает 130 элект'
родов, а ОС'С – 90 электродов. Разное число электродов в отража'
тельных структурах ОС'В и ОС'С выбрано для сглаживания пульса'
ций в полосе пропускания фильтра. В соответствии с требуемой по'
лосой рабочих частот фильтра в качестве материала пьезоподложки
используется 42° LiTaO
3
.
Как видно на рис. 4.12, полюса проводимости
11
Re{ ( )}Yf форми'
руют плоскую вершину коэффициента передачи (S
21
(f)) в полосе про'
пускания фильтра.
Рис. 4.12. Модуль коэффициента передачи фильтра (кривая 1) и дейA
ствительная часть компоненты матрицы проводимости
11
Y
(кривая 2)
фильтра на продольных резонансных модах
–5
–10
–15
–20
–25
–30
S ,
797 1097 947
21
11
дБ
Частота, МГц
Re{Y },
0,08
0,16
0,24
0,32
0,40
2
1
1
Ом