Введение в проектирование и схемотехнику электронных средств. Дмитриев В.Б - 17 стр.

    Аналогичные расчёты для усилительных схем значительно сложнее
и могут быть выполнены, если на схеме указаны напряжения на электродах
транзисторов или токи; в противном случае при проведении расчётов сле-
дует проконсультироваться у преподавателя и обратиться к специальной
литературе.
      В качестве п р и м е р а выполним расчёты для элементов пред-
    варительного усилителя низкой частоты (рис.4), состоящего из
    эмиттерного повторителя со следящей обратной связью и выходного
    каскада, выполненного по типовой схеме с общим эмиттером.




       Рис.4. Предварительный усилитель. Схема электрическая принципиальная

         Напряжение на выходе эмиттерного повторителя всегда по-
    вторяет напряжение на его входе. Поэтому в отсутствие сигнала
    напряжение на резисторе R4 примерно равно напряжению, подавае-
    мому на базу транзистора VT1 (КТ315Б) от делителя напряжения
    R1/R2 через резистор R3. Так как в этой схеме входное сопротивление
    транзистора, равное h21э*R4 = 90*7,5 = 675 кОм (где h21э – коэффи-
    циент усиления транзистора, для КТ315Б – более 90), много больше
    сопротивлений резисторов R1 и R2, влиянием тока базы при расчёте
    тока делителя R1/R2 можно пренебречь. Ток через резисторы R1 и R2
    Ivt1 = Uп/(R1+R2) = 10/(51+51) = 0,1 мА. Поскольку сопротивления
    резисторов R1 и R2 одинаковы и током базы транзистора можно
    пренебречь, напряжение в точке соединения резисторов R1, R2, R3
    равно половине напряжения питания (5 В). Почти такое же напря-
    жение приложено к базе транзистора VT1, а напряжение на его
    эмиттере меньше на 0,1...0,2 В. С приемлемой для ориентировочных
    расчётов точностью можно считать, что напряжение на эмиттере

                                      17