Конструкторско-технологическое обеспечение эксплуатационной надежности авиационного радиоэлектронного оборудования. Дмитриевский Е.С. - 83 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

83
числа штырей N. Анализ показывает, что полоса пропускания может
быть вычислена по формуле
0
2/,
ffN∆≈
где N
2.
Если известны скорость распространения ПАВ, рабочая частота и
полоса пропускания, то можно легко определить необходимый шаг и
число штырей. С ростом частоты длина волны λ
ак
, а значит, и требуе-
мый шаг уменьшаются. Максимально достижимая рабочая чистота оп-
ределяется разрешающей способностью применяемой литографии.
Обычно ширина штырей равна зазору между ними. В предельном слу-
чае шаг h = 4∆
min
, где ∆
min
– минимальный топологический размер ∆.
Полагая для фотолитографии ∆
min
= 0,5 мкм, получаем f
0max
= 0,75–1,5 ГГц.
Применение субмикронной литографии позволяет увеличить частоту на
порядок.
Площадь, занимаемая преобразователем на кристалле, увеличивает-
ся при снижении требуемой полосы пропускания из-за роста числа шты-
рей. Площадь зависит также от длины перекрытия штырей А. В случае
простейшего преобразователя длина перекрытия всех штырей одинако-
ва, однако в более сложных преобразователях она может изменяться в
направлении распространения волны. Максимальное перекрытие А
max
,
т. е. апертура преобразователя, для снижения потерь из-за расходимос-
ти луча ПАВ должно быть достаточно большим: А
max
ак
L>λ
, где L –
длина прямолинейного участка распространения ПАВ. На расстоянии
L может находиться либо выходной преобразователь, либо элемент,
изменяющий направление распространения. Площадь преобразова-
теля S = А
max
× 2 Nh увеличивается при снижении рабочей частоты.
Большая площадь ограничивает частоту снизу (не менее 1–10 МГц).
8.3. Элементы магнитных СБИС
постоянных запоминающих устройств
Магнитные свойства тонких пленок можно использовать для запо-
минания и обработки информации. В связи с этим в магнитоэлектрони-
ке возникло отдельное направление – магнитные интегральные микро-
схемы, главным практическим результатом которого явилось создание
СБИС ПЗУ на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Последние
используются как носители информации. Цилиндрические магнитные
домены появляются в тонких эпитаксиальных пленках специальных
материалов – гранатов, имеющих химическую формулу типа
351
2
R
Fe O
,
где R – редкоземельный элемент (Y, Cd и др.). Информационная ем-
кость СБИС определяется диаметром ЦМД (порядка 1 мкм) и состав-

Страницы