Элементы систем автоматики (силовой канал). Доманов В.И - 101 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

При дальнейшем незначительном увеличении тока происходит резкое
снижение импеданса до десятков ом, что практически закорачивает цепь, тем
самым «срезая» часть импульса перенапряжения, как это показано на рис. 3.23.
Основными параметрами диодов TRISIL являются следующие:
У
RM
- максимальное непрерывное рабочее напряжение, при котором ток,
проходящий через компонент, не вызывает его повреждений. Для данного
напряжения в спецификации указывается соответствующий ток I
RM
.
V
BR
- пробивное напряжение (Breakdown Voltage) - напряжение, при
котором происходит резкое увеличение проходящего через TRISIL тока,
причем скорость изменения тока выше, чем скорость нарастания напряжения.
Этому напряжению соответствует ток
V
BO
- напряжение опрокидывания (Breakover Voltage). В точке
происходит резкое изменение импеданса от большого неопределенного
значения до нескольких ом. В спецификации для данного напряжения указан
ток I
BO
.
I
Н
- при падении тока ниже данного значения происходит обратное
увеличение импеданса диода TRISIL.
I
pp
- предельное значение тока для определения формы импульса -
отношение 10/1000 мкс, экспоненциальная форма.
3.7 Влияние «длинного кабеля» на работу электроприводов
с IGBT-инверторами
Достоинства транзисторных IGBT-инверторов напряжения (АИН)
с широтно-импульсным управлением (ШИМ) в регулируемом асинхронном
электроприводе сочетаются с рядом проблем, одной из которых является
проблема «длинного кабеля», соединяющего обмотки двигателя (АД)
с выходом АИН [15].
Выходное напряжение U
1
АИН с ШИМ представляет собой
высокочастотную последовательность прямоугольных импульсов различной
полярности и длительности с одинаковой амплитудой - величины
постоянного напряжения на входе АИН (рис. 3.24).
Крутизна фронта импульсов напряжения определяется скоростью
переключения силовых ключей АИН и при использовании различных
полупроводниковых приборов составляет:
• однооперационные тиристоры SCR- 4 ...10 мкс;
• запираемые тиристоры GTO - 2...4 мкс;
• силовые биполярые тиристоры GTR - 0,5...2 мкс;
• транзисторы
IGBT - 0,05...0,1 мкс.
101

Страницы