ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
10
7. ВАХреальногополупроводниковогодиодаиеёотличиеотидеального.
8. ВлияниетемпературыиматериалаполупроводниканаВАХ.
9. Видыпробояp‐nпереходаиегоВАХ.
10. Емкостьp‐nпереходаиегоВФХ.
2.2.Работа2.Исследованиебиполярноготранзистора.Схемавключения
«общаябаза»(ОБ)и«общийэмиттер»(ОЭ)
Цель работы: Исследовать физические процессы,происходящиев
транзисторе.Ознакомитьсясхарактеристикамитранзисторавразличных
схемахеговключенияиметодамиопределенияпараметровтранзисторапоего
характеристикам.
Рис.5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »