ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
14
Собрать схему рис. 8 и снять семейство характеристик управления
транзистора
СТ э
I
fU припостоянномнапряжении .Всемействеснимать
3‐4характеристики.
Снять семейство выходных характеристик транзистора
при
постоянных значениях напряжения
. Снимать 3‐4 характеристики.
По полученным данным построить характеристики транзистора.Результаты
представитьдляконтроляпреподавателю.
Контрольныевопросы:
1. Конструкцияипринципдействияполевоготранзисторасуправляющимp‐n
переходом(ПТУП).
2. ВАХПТУП.
3. ПараметрыПТУП.
4. Режимнасыщения,условияеговозникновенияиегограницынаВАХПТУП.
5. Дайтесравнительныехарактеристикиполевыхибиполярныхтранзисторов.
6. Условныеграфическиеобозначенияполевыхтранзисторов(включаяМОП
транзисторы).
2.4.Работа4.Исследованиевлияниятемпературы
нахарактеристикидиодовитранзисторов
Цель работы: исследовать влияние температуры на физические
процессы,происходящиевполупроводниковыхдиодахитранзисторах,их
характеристикиипараметры.
Подготовительная часть работы: повторить теорию работы
полупроводниковогодиодаитранзистора. Ознакомиться со справочными
даннымидиодаД18итранзистораКТ940А,обративвниманиеназависимость
параметровприборовоттемпературы.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »