ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
38
глин (например, пластичность) зависят в большей степени от дисперсности
частиц.
При движении коллоидная частица проходит большой путь,
перемещаясь в определенном направлении на малое расстояние.
Строение коллоидных частиц
Коллоидная частица несет электрический заряд, обусловленный
наличием двойного электрического слоя из ионов на поверхности частицы.
Этот слой образуется при: 1) избирательной адсорбции одного из ионов
электролита, находящегося в растворе; 2) ионизации поверхностных молекул
веществ.
Рассмотрим ионизацию поверхностных молекул на примере водного
золя диоксида кремния. Молекулы SiО
2
, находящиеся на поверхности
коллоидных частиц, взаимодействуют с дисперсионной средой и образуют
кремнекислоту, способную ионизироваться:
+−
+→ HSiOSiOH 4
4
444
.
При этом ионы
−4
4
SiO остаются на поверхности частиц, сообщая им
отрицательный заряд, а ионы водорода находятся в растворе рассмотрим
рис.7.
глин (например, пластичность) зависят в большей степени от дисперсности
частиц.
При движении коллоидная частица проходит большой путь,
перемещаясь в определенном направлении на малое расстояние.
Строение коллоидных частиц
Коллоидная частица несет электрический заряд, обусловленный
наличием двойного электрического слоя из ионов на поверхности частицы.
Этот слой образуется при: 1) избирательной адсорбции одного из ионов
электролита, находящегося в растворе; 2) ионизации поверхностных молекул
веществ.
Рассмотрим ионизацию поверхностных молекул на примере водного
золя диоксида кремния. Молекулы SiО2, находящиеся на поверхности
коллоидных частиц, взаимодействуют с дисперсионной средой и образуют
кремнекислоту, способную ионизироваться:
4− +
H 4 SiO4 → SiO 4 + 4H .
При этом ионы SiO44− остаются на поверхности частиц, сообщая им
отрицательный заряд, а ионы водорода находятся в растворе рассмотрим
рис.7.
38
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
