Схемотехника. Часть 1. Дуров А.А - 36 стр.

                  Лабораторная работа № 3

     ИССЛЕДОВАНИЕ МНОГОТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИ-
              ТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

                          Цель работы
    Ознакомление с вариантами соединения транзисторов для
получения двухтранзисторных и многотранзисторных усили-
тельных элементов, экспериментальная оценка их основных па-
раметров и усилительных свойств.
                        Краткие сведения
     В транзисторных усилителях на дискретных элементах часто
используется в каждом усилительном каскаде только один тран-
зистор, включенный по одной из схем, исследованных в лабора-
торной работе № 2 (ОЭ, ОК, ОБ, ОИ, ОС или ОЗ). Каскады таких
усилителей (особенно резонансных) имеют достаточно высокий
коэффициент усиления, однако его не всегда удается реализовать
из-за снижения устойчивости работы усилителя, вызванного дей-
ствием паразитной внутренней обратной связи в транзисторе.
     Противоречие между высокими усилительными свойствами
и опасностью неустойчивой работы привело к необходимости
применения различных схем компенсации внутренней обратной
связи или к использованию многотранзисторых усилительных
элементов, среди которых наибольший интерес представляют
двухтранзисторные структуры. В зависимости от схемы соедине-
ния транзисторов принято различать составные транзисторы и
каскодное соединение транзисторов. В обоих случаях транзисто-
ры соединяются между собой без элементов, согласующих вы-
ходное сопротивление предыдущего и входное сопротивление
последующего каскадов.
     У составных транзисторов соединяются по два вывода, при
этом в нагрузке существует ток обоих транзисторов, сама же
двухтранзисторная структура имеет для включения в схему три
вывода, как и обычный транзистор. Наибольшее распространение
получил составной транзистор по схеме Дарлингтона (рис.3.1).



                             36