Схемотехника. Часть 1. Дуров А.А - 80 стр.

UptoLike

80
ном смещении. В зависимости от физических процессов, приво-
дящих к появлению рабочих участков ВАХ, стабилитроны де-
лятся на низковольтные и высоковольтные соответственно с на-
пряжением стабилизации менее или более 6,5 В.
У диодов с низкоомной базой (низковольтных) более ве-
роятен туннельный пробой. У диодов с высокоомной базой
(сравнительно высоковольтных) пробой носит лавинный харак-
тер. При изготовлении опорных диодов образуется р-п-переход с
четкими границами, обладающий повышенной стойкостью к теп-
ловому пробою.
Обратный ток кремниевых диодов мал, поэтому саморазо-
грев диода в предпробойной области отсутствует и переход в
область пробоя получается достаточно резким. Кроме того, в
самой области пробоя даже при большом токе нагрев диода не
носит лавинообразного характера, так как тепловой ток и ток
термогенерации остаются малыми в широком температурном
диапазоне. Соответственно рабочий участок характеристики
идет почти вертикально и не имеет отрицательного наклона, свя-
занного с тепловым пробоем.
Большой интерес представляет температурная зависимость
стабилизированного напряжения. В этом отношении многое за-
висит от характера пробоя и связанной с ним величины пробив-
ного напряжения.
У диодов с туннельным пробоем (низковольтных) пробив-
ное напряжение находится в прямой зависимости от ширины за-
прещенной зоны, которая уменьшается с повышением темпера-
туры. Это приводит к некоторому уменьшению напряжения на
переходе, так как туннельные переходы становятся возможны-
ми при более низких напряжениях.
Следовательно, у низковольтных стабилитронов темпера-
турный коэффициент напряжения (ТКН) отрицателен.
У диодов с лавинным пробоем (сравнительно высоко-
вольтных) пробивное напряжение находится в обратной зависи-
мости от подвижности носителей. Напряжение перехода при ла-
винном пробое увеличивается с повышением температуры из-за
сокращения средней длины свободного пробега носителей в пе-
реходе, что затрудняет их лавинное размножение. ТКН у высо-
ковольтных стабилитронов получается положительным.
ном смещении. В зависимости от физических процессов, приво-
дящих к появлению рабочих участков ВАХ, стабилитроны де-
лятся на низковольтные и высоковольтные соответственно с на-
пряжением стабилизации менее или более 6,5 В.
       У диодов с низкоомной базой (низковольтных) более ве-
роятен туннельный пробой. У диодов с высокоомной базой
(сравнительно высоковольтных) пробой носит лавинный харак-
тер. При изготовлении опорных диодов образуется р-п-переход с
четкими границами, обладающий повышенной стойкостью к теп-
ловому пробою.
       Обратный ток кремниевых диодов мал, поэтому саморазо-
грев диода в предпробойной области отсутствует и переход в
область пробоя получается достаточно резким. Кроме того, в
самой области пробоя даже при большом токе нагрев диода не
носит лавинообразного характера, так как тепловой ток и ток
термогенерации остаются малыми в широком температурном
диапазоне. Соответственно рабочий участок характеристики
идет почти вертикально и не имеет отрицательного наклона, свя-
занного с тепловым пробоем.
     Большой интерес представляет температурная зависимость
стабилизированного напряжения. В этом отношении многое за-
висит от характера пробоя и связанной с ним величины пробив-
ного напряжения.
     У диодов с туннельным пробоем (низковольтных) пробив-
ное напряжение находится в прямой зависимости от ширины за-
прещенной зоны, которая уменьшается с повышением темпера-
туры. Это приводит к некоторому уменьшению напряжения на
переходе, так как туннельные переходы становятся возможны-
ми при более низких напряжениях.
     Следовательно, у низковольтных стабилитронов темпера-
турный коэффициент напряжения (ТКН) отрицателен.
     У диодов с лавинным пробоем (сравнительно высоко-
вольтных) пробивное напряжение находится в обратной зависи-
мости от подвижности носителей. Напряжение перехода при ла-
винном пробое увеличивается с повышением температуры из-за
сокращения средней длины свободного пробега носителей в пе-
реходе, что затрудняет их лавинное размножение. ТКН у высо-
ковольтных стабилитронов получается положительным.

                             80