Источники питания РЭА. Ефимов И.П. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

Источники первичного электропитания.
К данной группе ИП отно-
сятся:
1) химические источники тока (гальванические элементы, батареи и
аккумуляторы);
2) термобатареи;
3) термоэлектронные преобразователи;
4) фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
5) топливные элементы;
6) биохимические источники тока;
7) атомные элементы;
8) электромашинные генераторы.
Химические источники тока (ХИТ) широко используются для питания
маломощных устройств и аппаратуры, требующей автономного питания.
Батареи и аккумуляторы являются также вспомогательными и (или) ре-
зервными источниками энергии в устройствах, питающихся от сети пере-
менного тока. Выходное напряжение таких источников практически не со-
держит переменной составляющей (пульсаций), но в значительной степени
зависит от величины тока, отдаваемого в нагрузку, и степени разряда. По-
этому в устройствах, критичных к напряжению питания, химические ис-
точники тока используются совместно со стабилизаторами напряжения.
Более подробно гальванические батареи и аккумуляторы, а также их па-
раметры рассмотрены в разделе 4
«Химические источники тока».
Термобатареи состоят из последовательно соединенных
термопар.
Термобатареи используются
в качестве ИП малой мощности, например для
питания радиоприемников.
В простейшем виде термоэлектрический генератор представляет со-
бой батарею термопар, у которых одни концы спаев нагреваются, а другие
имеют достаточно низкую температуру, благодаря чему создается
термо-ЭДС и во внешней цепи протекает ток. Каждая термопара может со-
стоять из двух разнородных полупроводников или из проводника и полу-
проводника.
Большая теплопроводность металлических термопар не позволяет
создавать значительную разность температур спаев, а следовательно, не
дает возможность получить большую термо-ЭДС. Лучшие результаты дает
использование в термогенераторах полупроводниковых термопар, или
комбинированных, состоящих из проводника и полупроводника.
В термопаре, состоящей из полупроводников с n- и p- проводимо-
стями, при нагревании спая количество электронов в полупроводнике
n-типа и число дырок в полупроводнике p-типа увеличивается. Электроны
и дырки вследствие диффузии в полупроводниках движутся от горячего
слоя термопары к холодному. Перемещение дырок приводит к тому, что
горячий конец полупроводника p-типа заряжается отрицательно, а холод-
ный конец - положительно. В полупроводнике n-типа электроны, переходя
от горячего конца к холодному, так же как, и в металле, заряжают горячий

Страницы