Источники питания РЭА. Ефимов И.П. - 75 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

увеличении тока нагрузки до заданного предельного значения транзистор
VT
1
открывается падением напряжения на резисторе R
1
,
его переход кол-
лектор-эмиттер шунтирует эмиттерный переход проходного транзистора,
VT
2
закрывается, и величина его коллекторного тока уменьшается.
Рассмотрим конкретный числовой пример. Пусть необходим стабили-
затор с U
вых
= 5 В при токе до 5 А. Входное напряжение равно 15 В. Вы-
берем проходной транзистор VT
2
(рис. 2.69), способный при коротком за-
мыкании выхода рассеивать мощность:
75Вт5А15ВIUP
вых.макс.вхрас.кз
=⋅=⋅=
.
Следовательно, с учетом некоторого запаса необходим транзистор с
допустимой мощностью рассеяния 90 – 100 Вт. Этому условию удовлетво-
ряет биполярный транзистор проводимости p-n-p КТ818А (P
рас
макс
=100Вт, h
21э
=15 при I
к
=5А, I
к макс
=15А, U
бэ
=0,9В при I
к
=5А). Опреде-
лим необходимый базовый ток VT
2
I
б2
при величине его коллекторного
тока I
к2
, равной 5 А: I
б2
=I
к2
/h
21э
≈0,33 А. Ток выхода ИС I
вых
выберем с
таким избытком, чтобы он перекрывал возможные отклонения параметров
элементов и напряжения U
бэ2
. Пусть этот запас равен 20 %, тогда
I
вых
=1,2⋅I
б2
, а ток протекающий через резистор R
2
равен 0,2⋅I
б2
. Поэтому
R
2
=U
бэ2
/(0,2⋅I
б2
)=0,9 В/(0,2⋅0,33)=13,5 Ом.
В качестве VT
1
можно взять биполярный транзистор средней
мощности проводимости p-n-p типа КТ816А (I
к
=2А > I
б2
,
P
рас.макс
=20 Вт >U
вх
⋅I
б2
≈ 15⋅0,3 ≈ 4,5 Вт, U
бэ
=0,7 В при I
к
≈0,4 А). Следо-
вательно, R
1
=U
бэ1
/I
вых
пор
, где I
вых
пор
=5 А – максимальный допустимый
выходной ток. R
1
=0,7/5≈0,14 Ом. Таким образом, для схемы (рис. 2.67) с
требуемыми параметрами можно использовать следующие элементы:
R
1
≈0,15 Ом, R
2
≈15 Ом, VT
1
– КТ816А, VT
2
– КТ818А.
Диодная защита ИС.
При наличии в выходной цепи ИС конденса-
тора емкостью не менее 5 – 10 мкФ и коротком замыкании на входе стаби-
лизатора, наблюдается кратковременный бросок тока большой силы. Про-
исходит это вследствие разряда выходного конденсатора через цепи ИС в
направлении от вывода OUT к выводу IN. Величина этого импульса тока
может достигать единиц и десятков
ампер, что приводит к повреждению
ИС. С целью защиты ИС от выхода из
строя в подобной ситуации, его шун-
тируют диодом (рис. 2.70).
В случае короткого замыкания на
входе выходной конденсатор С
2
раз-
ряжается через шунтирующий
диод VD.
VD
+
С
1
С
2
+
+U
вх
+U
вых
IN
OUT
DA
COM
ИС
Рис. 2.70. Диодная защита.

Страницы