Источники питания. Ефимов И.П. - 40 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

полезного действия вследствие увеличения тока протекающего через тер-
мокомпенсирующие диоды.
Повышение нагрузочной способности параметрических стабилизато-
ров. Особенностью всех рассмотренных выше схем параметрических ста-
билизаторов является то, что в случае переменной нагрузки максимальный
выходной ток не может превышать максимальный ток стабилизации ста-
билитрона. Увеличить выходной ток стабилизатора можно с помощью
транзистора, включенного по схеме общий коллектор (рис.2.33).
Рис.2.33. Параметрический стабилизатор с повышенной
нагрузочной способностью
.
Элементы R
б
идиодVD образуют обычный параметрический стаби-
лизатор, нагрузкой которого является база транзистора VT. Транзистор в
рассматриваемой схеме является усилителем тока нагрузки I
э
≈β·I
б
, где
β−коэффициент передачи тока транзистора. Учитывая, что падение на-
пряжения на переходе база–эмиттер величина практически постоянная и
относительно небольшая (до 0,5 В для германиевых и до 1,0 Вдлякрем-
ниевых транзисторов), можно считать, что напряжение на нагрузке при-
мерно равно напряжению стабилизации опорного диода VD (рис.2.33.):
U
н
=U
ст
−U
бэ
≈U
ст
.
Для нормального функционирования устройства необходимо чтобы
выполнялось следующее неравенство:I
н
/β<(I
ст.макс.
−I
ст.мин.
), где I
ст.макс.
,
I
ст.мин.
− максимальное и минимальное значение тока стабилизации ста-
билитрона. При выборе значения β транзистора следует иметь в виду, что
чем меньше ток отбираемый транзистором от стабилитрона, тем
больше K
ст
.
Мощные транзисторы имеют, как правило, малый коэффициент уси-
ления тока от 10 до 40). Поэтому для получения больших токов нагрузки
можно использовать два и более транзисторов, включенныхпосхемеДар-
лингтона.
+
−
+
−
R
н
U
н
U
бэ
U
ст
I
ст
U
вх
I
R
б
I
б
VT
I
э
(I
н
)
VD

Страницы