Составители:
Рубрика:
ремещение с уровня на уровень (а значит от одного атома к другому),
что обуславливает хорошую электропроводность металлов.
В металлах второй группы, например в
Be , валентная s-зона
должна быть заполнена полностью, так как
валентных электрона два.
Однако вследствие перекрытия
s- и последующей p – зон, гибридная
sp-зона также заполнена только частично. В твердом состоянии ме-
таллы второй группы также хорошие проводники
.
Рис.2.7. Образование зон в
щелочном металле на приме-
ре Na
2. Допустим, что валентная зона заполнена электронами полно-
стью, но она перекрывается с зоной проводимости, не занятой элек-
тронами. Если к такому кристаллу приложить внешнее электрическое
поле, то электроны будут переходить на уровни свободной зоны и
возникнет ток. Данный кристалл также является металлом. Типичный
пример металла с указанной структурой – магний. У каждого атома
Мg (1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
) на внешней электронной оболочке имеется два элек-
трона. В кристаллическом магнии валентные электроны полностью
заполняют s-зону. Однако, эта зона перекрывается со следующей раз-
решенной зоной, образованной из 3р-уровней.
3. Валентная зона заполнена электронами полностью и отде-
лена за следующей за ней свободной зоной широкой запрещенной зо-
69
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 67
- 68
- 69
- 70
- 71
- …
- следующая ›
- последняя »
