Составители:
Рубрика:
Рис. 3.5. Зависимость ширины запрещенной
зоны полупроводников A
III
B
V
от температу-
ры плавления
соединений
Это приводит к большей разнице между максимумом и минимумом в поле
кристалла. Поскольку ширина запрещенной зоны прямо пропорциональна
этой разнице, то с увеличением доли ионности она растет.
Полупроводники группы A
III
B
V
имеют и несколько иное строение энер-
гетических зон.
В полупроводниковых соединени прещенной ях увеличение ширины за
зоны обусловлено ростом ионной доли химической связи. Вместе с увели-
чением ионности растет роль оптической ветви колебания решетки, рас-
сеивающей носители тока значительно сильнее, чем акустические колеба-
ния или фононы. Поэтому с увеличением ширины запрещенной зоны в
пределах одного и того же класса наблюдается закономерное веществ
уменьшение подвижности носителей ия- тока. Особенно большими значен
ми подвижности носителей должны -обладать полупроводниковые вещест
ва с непрерывной пространственной ических ковалентных сеткой тетраэдр
связей, к которым относится большинство соединений А
Ш
В
V
. У них, во-
первых, амплитуды тепловых колебаний атомов решетки малы вследствие
жесткого каркаса тетраэдрических связей. Во-вторых, эффективная масса
электронов также мала из-за того, что электронная плотность по тетраэд-
рическим направлениям не падает до нуля, как это бывает в ионной связи.
- 61 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 59
- 60
- 61
- 62
- 63
- …
- следующая ›
- последняя »
