Основы схемотехники: Сборник лабораторных работ. Елягин С.В. - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

9
Максимальная мощность рассеяния на коллекторе транзистора одно-
го плеча усилителя
2
2
π
н
maxк
P
P =
, (2.1)
где
н
P
– выходная мощность на сопротивлении нагрузки
н
R
.
Максимальный коллекторный ток транзистора одного плеча
н
н
maxк
R
P
I
2
=
. (2.2)
Напряжение источника питания
осткэнmaxкк
URIE
+
⋅
=
, (2.3)
где
осткэ
U определяется по выходной динамической характеристики для
тока коллектора, равного
maxк
I . Следует отметить, что обычно напряжение
питания каскада принимают на
B
21
÷
больше расчетного значения.
По значениям
maxк
P ,
maxк
I и
к
E из справочника выбирают компли-
ментарные транзисторы, например, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818
и КТ819.
Мощность, отбираемая каскадом от источника питания
π
maxк
ксркк
I
EIEP 22
0
==
, (2.4)
где
срк
I
– средний ток коллектора. Двойка в формуле (2.4) учитывает вто-
рое плечо усилителя мощности.
Коэффициент полезного действия
0
P
P
н
=
η
, (2.5)
где
нmaxнн
RUP 2
2
=
– максимальная выходная мощность.
По выходной динамической характеристике определяют максималь-
ную амплитуду тока базы
maxб
I
, а по входной характеристике – макси-
мальную амплитуду напряжения
maxбэ
U
.
Усредненное входное сопротивление транзистора
maxб
maxбэ
срвх
I
U
R =
. (2.6)
Глубина обратной связи
maxбэ
нmaxк
U
RI
A +=1
. (2.7)
Входное сопротивление плеча
вхосвх
ARR
=
. (2.8)
Входная мощность каскада
(
)
maxбнmaxкmaxбэmaxбmaxбвх
IRIU.IU.P
+
=
= 5050 . (2.9)

Страницы