Составители:
73
где m, e – масса и заряд электронов, v- средняя скорость их теплового
движения :
m
kT
v
π
8
=
(54)
Таким образом, в этой простейшей теории ρ пропорционально Т
1/2
.
В реальных металлах дополнительными механизмами рассеяния,
определяющими длину свободного пробега, являются взаимодействие
электронов с фононами, электронов друг с другом, электронов с
химическими и физическими неоднородностями кристаллической
решетки. В простейших моделях реальных металлов принято считать, что
различные механизмы рассеяния дают аддитивный вклад в удельное
сопротивление металла (правило Матиссена) :
∑∑
==
ii
i
F
i
ne
p
λ
ρρ
2
(55)
где n – концентрация электронов проводимости , p
F
– граничный
фермиевский импульс
Конкуренция различных механизмов рассеяния приводит к линейной
зависимости ρ от температуры при достаточно высоких температурах
(выше температуры Дебая) и к пропорциональности Т
5
при очень низких
температурах. Экспериментальные зависимости сопротивления металлов
от температуры с хорошей точностью описываются полиномами третьей
степени. Однако при обычных требованиях к точности ограничиваются
квадратичной или даже линейной функцией :
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 71
- 72
- 73
- 74
- 75
- …
- следующая ›
- последняя »
