Квантовая и оптическая электроника. Практикум. Евтушенко Г.С - 5 стр.

UptoLike

5
ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ.
ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ ЛАЗЕРА И ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛАЗЕР-
НОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Оптический квантовый генератор или лазерэто квантовый гене-
ратор электромагнитных волн оптического диапазона, действие которо-
го основано на принципе вынужденного излучения квантовых систем.
Основная функциональная часть лазера, предназначенная для преобра-
зования энергии возбуждения в лазерное излучение, называется излуча-
телем лазера. Излучатель содержит активный элемент лазера, в боль-
шинстве случаевоптический резонатор, а также может включать в се-
бя отдельные элементы системы накачки, оптические элементы и т. п.
Вещество, из которого состоит активный элемент лазера, называется ла-
зерным веществом: в нём в процессе накачки может быть создана ла-
зерная активная
среда. Активной её называют потому, что она обладает
способностью усиления электромагнитного излучения на частоте лазер-
ного перехода.
Свойства квантовой системы
Энергия электронов в атомах и молекулах квантована, то есть мо-
жет принимать только дискретные значения E
1
, E
2
, E
3
и т.д., которые на-
зывают уровнями энергии. Состояние электрона в атоме обусловлено
значениями квантовых чисел: главного, орбитального, магнитного и
спинового. Если уровню E
n
электрона с главным квантовым числом n
соответствует несколько g состояний электрона с различными орби-
тальными, магнитными, спиновыми числами, то принято называть уро-
вень вырожденным с кратностью вырождения (со статистическим ве-
сом) уровня g = g
n
.
Внешние либо внутренние силовые поля снижают степень симмет-
рии квантовой системы. Поэтому вырождение уровня частично или
полностью снимается. Это проявляется в расщеплении уровня E
n
, то
есть в возникновении группы новых, менее вырожденных или невыро-
жденных уровней. Например, спин-орбитальное взаимодействие приво-
дит к частичному снятию вырождения: уровень энергии расщепляется
на несколько подуровней, совокупность которых называют мультипле-
том, а взятый в отдельности подуровеньатомным термом.
Иная энергетическая структура имеет место для кристаллов. Из-за
малого
расстояния между атомами в кристаллической решетке возника-
ет их сильное взаимодействие, приводящее к образованию подуровней,
число которых приблизительно равно числу атомов в кристалле (~10
20