Квантовая и оптическая электроника. Практикум. Евтушенко Г.С - 71 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

схема генератора высоковольтных импульсов показана на рис. 5.4. Ос-

новным элементами схемы являются десять параллельно включенных

IGBT транзисторов. Накопительные емкости С

, С

и т.д. величиной

4,7 нФ резонансно заряжаются через индуктивность L

до 1000 В каж-

дый (при напряжении источника питания U

= 500–600 В). Импульсные

трансформаторы имеют коэффициент трансформации равный единице.

Вторичные обмотки трансформаторов соединены последовательно, что

позволяет формировать на электродах ГРТ напряжение ~10 кВ. Между

электродам ГРТ может быть также подключен обострительный конден-

сатор С

. В ряде случаев он способствует повышению эффективности

накачки, величина С

определяется экспериментально по максимуму

мощности генерации.

Рис. 5.4. Схема накачки лазера с транзисторным коммутатором

5.4. Программа работы

1. Ознакомиться с конструкционными особенностями активного эле-

мента лазера на парах бромида меди.

Ознакомиться со схемами накачки лазера, в том числе с транзи-

сторной схемой.