Составители:
Рубрика:
15
полупроводников. Заполнение зон электронами. Динамика электронов в
кристаллической решетке и эффективная масса носителя. Элементы кван-
товой теории электропроводности металлов. Сверхпроводимость.
3.7.6. Проводимость полупроводников (10 час.); (8* час.)
[]
1 , с.516…523;
[
, с.443…454
]
2
Понятие о полупроводниках. Собственная проводимость полупро-
водников. Электроны и дырки в полупроводниках. Температурная зависи-
мость собственной проводимости полупроводников. Термисторы. Внут-
ренний фотоэффект и фотопроводимость полупроводников. Фоторезисто-
ры. Примесная проводимость полупроводников. Причины сильного влия-
ния примесей на свойства полупроводников. Полупроводники электронные
и дырочные. Зонные модели примесных полупроводников.
3.7.7. Контактные и
термоэлектрические явления (10 час.);
(5* час.)
[]
1 , с.526…530;
[
, с.454…465
]
2
Работа выхода электронов. Термоэлектронная эмиссия и электрова-
куумные приборы. Контактная разность потенциалов. Термоэлектрические
явления. Понятие электронно-дырочного перехода. Полупроводниковый
диод. Действие освещения на р-n переход. Люминисценция в р -n перехо-
дах.
3.8. ФИЗИКА АТОМНОГО ЯДРА (30 час.); (10* час.)
[]
1 , с.532…540, 542…546;
[
]
2 , с.466…475, 481…485, 489…496
Состав и характеристики атомного ядра. Дефект массы и энергия
связи. Ядерные силы. Реакции деления и синтеза. Деление тяжелых ядер.
Цепная реакция деления. Ядерные реакторы. Термоядерный синтез. Радио-
активность, методы ее измерения. Экологическая опасность ионизирующих
излучений. Радиационная защита.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
