ВУЗ:
Составители:
дение двойников позволяет предположить, что величина межзеренных термических напряжений не ни-
же напряжений двойникования указанных металлов при 77 К. Двойники, обусловленные термическими
напряжениями, пересекаются при низких температурах с теми же особенностями, что и механические,
вызванные взрывом ВВ или ударом бойка.
Подробный кристаллографический анализ вторичного двойникования и скольжения в местах пересе-
чения двойников был выполнен в [151, 152]. В исследованиях показано, что зарождение микротре-
щин в цинке, а также аномалии, наблюдаемые в кадмии при пересечении двойников, обусловлены
процессами микропластичности по вполне определенным кристаллографическим системам.
4.3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ
ИНДЕКСОВ ВТОРИЧНОГО ДВОЙНИКОВАНИЯ И СКОЛЬЖЕНИЯ
В ЗОНАХ ПЕРЕСЕЧЕНИЯ ДВОЙНИКОВ
Определение кристаллографических индексов вторичного двойникования, а также скольжения в ос-
таточном двойнике проводили в предположении, что один из взаимодействующих двойников статиче-
ский, а второй – динамический, распространяющийся под действием некоторого касательного напряже-
ния τ, атакует стационарную прослойку – стопор. При этом в статическом двойнике будут развиваться
вторичное двойникование и скольжение преимущественно по плоскостям с наибольшими приведенны-
ми касательными напряжениями [151]. Последние пропорциональны фактору Шмида, величиной кото-
рого определяется степень активности той или иной системы двойникования или скольжения [52] как в
статическом двойнике, так и в матрице.
Возможные плоскости вторичного двойникования для всех вариантов пересечений приведены в
табл. 4.1. Значения фактора Шмида меньше нуля означают, что направления действия эффективных ка-
сательных напряжений в этой плоскости противоположны реальной ориентации сдвига при двойнико-
вании. Из табл. 4.1 следует, что в первом варианте пересечения вторичное двойникование в статической
прослойке будет наблюдаться по плоскостям
t
2)1(01 и
t
2)1(10 . Однако вероятность развития двойника
по
t
2)1(01
выше, так как фактор Шмида в этой плоскости имеет большее значение. При графическом
построении следов пересечения указанных плоскостей с поверхностью наблюдения (0001) получили
схему, представленную на рис. 4.5 а. Аналогично были определены схемы вторичного двойникования
для второго и третьего вариантов пересечений (рис. 4.5 б, в).
Из приведенного выше следует, что при увеличении напряжения, вызывающего развитие динами-
ческого двойника, в статической прослойке будет развиваться вторичное двойникование. Причем, вна-
чале по плоскостям с максимальными значениями фактора Шмида, а затем с меньшими, по мере дости-
жения в них напряжений, необходимых для зарождения двойникования. Так, на рис. 4.5, а сначала дол-
жен появиться двойник
t
2)1(01 , а затем
t
02)1(1 и только после этого может возникнуть
t
2)1(10 .
Определенные графически схемы вторичного двойникования совпадают с экспериментально на-
блюдаемыми на (0001) пересечениями по I и II вариантам (рис. 4.5, г, д). Найденные отличия в процес-
сах вторичного двойникования первых двух вариантов взаимодействия двойников дают возможность
дифференцировать их на плоскости (0001) и в цинке, и в кадмии.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »
