ВУЗ:
Составители:
а[001]→а/6 ]151[ + а/6 ]111[ ;
а/6 ]151[ →а/3 ]121[ + a/6 ]111[ ; (5.4.1)
а/3
]121[
→а/2
]111[
+ a/6
]111[
.
Наблюдающееся облегчение скольжения в плоскостях {112} с повышением температуры обеспечи-
вает быстрое увеличение количества очагов двойникования, способных зарождаться и при встрече по-
лос пластического течения {112} друг с другом, когда диссоциация барьера [001] по схеме:
а[001]→а/3[002]+a/6 ]111[ +a/6 ]111[ ;
а/3[002]→а/3[001]+а/6 ]111[ +а/6 ]111[ ; (5.4.2)
а/3[001]→а/6
]111[
+а/6
]111[
дает два двойниковых зародыша [58, 59]. Этим, по-видимому, и объясняется сильное возрастание числа
двойников в области 233…373 К (рис. 5.9). Следует отметить, однако, что распад барьера [001] по схеме
(5.4.1) возможен при 45-кратной концентрации напряжений, а по схеме (5.4.2) – 15-кратной.
Приведенная модель предполагает зарождение и рост микродвойников из различных независимых
центров. Действительно, характерной особенностью развития процесса в области повышенных темпе-
ратур является практически одновременное появление двойников на поверхности образца из множества
участков. При этом они часто оказываются прерывистыми, с многочисленными зародышевыми очага-
ми.
N
.
T
Рис. 5.9. Зависимость количества образующихся двойников
от температуры испытания при скоростях деформирования:
1 – 4·10
-2
с
–1
; 2 – 8·10
–1
c
–1
; 3 – 2·10 c
–1
; 4 – 0,5·10
2
c
–1
; 5 – 2·10
3
c
–1
Выше 473 К уменьшение интенсивности двойникования связано с изменением ряда температурно-
зависимых факторов: поперечное движение дислокаций, преодолевающих барьеры выходом в другие
плоскости; доминирование одной системы скольжения за счет облегчающегося с повышением темпера-
туры поворота кристаллической решетки при деформировании [197]; уменьшение устойчивости барье-
ров против распада.
Температурная устойчивость дислокационных барьеров характеризуется средним временем
τ
[198]:
3
4
2
1
5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 82
- 83
- 84
- 85
- 86
- …
- следующая ›
- последняя »
