ВУЗ:
Составители:
Интересным и неоднозначным является влияние предварительной деформации скольжением на ин-
тенсивность образования двойников. Например, в цинке [54] и ниобии [55] их возникновение облегча-
ется, если кристаллы предварительно продеформировать. В то же время в железе [199 – 201] и кремни-
стом железе [40] низкотемпературное двойникование подавляется первоначальным скольжением, осу-
ществленным при повышенной температуре. Эти результаты получены в квазистатических режимах на-
гружения.
Предварительное скольжение при последующих динамических испытаниях по-разному влияет на
возникновение двойников. В области низких температур введенные дислокации усиливают двойнико-
вание (рис. 5.11, кривые 3, 4 и 5, 6), выше 273 К, напротив, затрудняют, и с повышением температуры –
все в большей степени. Характерно, что в заранее деформированных областях двойники при низких
температурах зарождаются по всему образцу, в то время как в отожженных – лишь в вершине надреза
или трещины.
Приведенные результаты объясняются тем, что предварительное скольжение по пересекающимся
{110}<111> и {112}<111> системам создает в объеме образца многочисленные концентраторы напря-
жений. В ходе последующего импульсного нагружения в низкотемпературной области, когда скольже-
ние затруднено, эти концентраторы становятся источниками двойников, что подтверждается зарожде-
нием их во многих участках образца. При повышенных температурах свежие дислокации, напротив, об-
легчая начало скольжения и способствуя равномерному его развитию, блокируют образование двойни-
ков.
5.5. ВЛИЯНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ДЕФОРМАЦИИ
НА ИНТЕНСИВНОСТЬ ДВОЙНИКОВАНИЯ
Для более глубокого понимания процессов, контролирующих интенсивность двойникования, важ-
ными являются сведения о характере влияния отдельно температуры и величины общей деформации
образцов на образование двойников. С этой целью для каждой температуры определяли [187] число
двойников, появляющихся при достижении определенного уровня деформации ε (рис. 5.12). Как видно
из графиков, при T = const число двойников растет с увеличением деформации, однако неравноценно
для разных значений ε и Т (см. рис. 5.12, например, 0,5…1 и 2…2,5 % при 373 и 473 К). Для ε = const с
ростом температуры испытания (Т > 273 К) двойникование постепенно блокируется. При этом меняют-
ся τ
дв
и τ
ск
, степень деформации, кристаллография и характер скольжения, устойчивость дислокацион-
ных барьеров и пр. Для выяснения параметров, определяющих интенсивность двойникования в разных
областях температур, процесс развития скольжения и двойникования можно представить в виде дисло-
кационных преобразований [187]:
,twSq →
↔
где q, S, tw – соответственно скользящие, сидячие и двойникующие дислокации.
Зарождение двойников по этой схеме происходит из сидячих конфигураций дислокаций, в качестве
которых могут быть или расщеп-
N
.
T
Рис. 5.12. Изменение интенсивности двойникования от температуры
для различных степеней деформации:
1 – 0,2 %; 2 – 0,5 %; 3 – 7 – через 0,5 % каждая
6
5
4
3
2
1
7
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 86
- 87
- 88
- 89
- 90
- …
- следующая ›
- последняя »
