Лабораторные работы по основам электроники. Федоров К.А - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВСГУТУ | Улан-Удэ

Составители: 

Рубрика: 

Рис 4.1. Упрощенная структура полевого транзистора с
управляющим p-n-переходом (а); условные обозначения транзистора,
имеющего канал n-типа (б) и p-типа (в); типовые структуры (г, д);
структура транзистора с повышенным быстродействием (е)
В транзисторе с p - каналом основными носителями заряда
являются дырки, которые движутся в направлении снижения
потенциала, поэтому U
си
< 0, U
зи
≥ 0. Когда суммарное напряжение
достигает напряжения запирания U
си
< │U
зи
│= U
зап
, сопротивление
канала резко возрастает.
Зависимость тока стока I
с
от напряжения U
си
при постоянном
напряжении U
си
называются выходными (стоковыми) вольт -
амперными характеристиками полевого транзистора (рис 4.2).
Рис 4.2 Рис 4.3
Как видно из данных вольт - амперных характеристик ток стока I
с
возрастает с увеличением U
си
, затем этот рост тока прекращается
(участок насыщения). Данный участок насыщения является рабочей
областью выходных характеристик полевого транзистора.
Увеличение значения отрицательного напряжения U
зи
между
затвором и истоком ведет к укорачиванию участка насыщения.
Дальнейшее увеличение напряжения U
си
может привести к пробою p-
n перехода между затвором и каналом и тем самым к выходу из строя
транзистора.
По выходным характеристикам может быть построена
передаточная характеристика I
с
=f(U
зи
)) (рис.4.3). На участке
насыщения она практически не зависит от напряжения U
си.
Основными параметрами полевых транзисторов являются
крутизна характеристики передачи
constU
ЗИ
С
СИ
dU
dI
S
=
=
и дифференциальное сопротивление стока на участке насыщения 
                                                                              Рис 4.2                                Рис 4.3
                                                                        Как видно из данных вольт - амперных характеристик ток стока Iс
                                                                    возрастает с увеличением Uси, затем этот рост тока прекращается
                                                                    (участок насыщения). Данный участок насыщения является рабочей
                                                                    областью     выходных    характеристик    полевого    транзистора.
                                                                    Увеличение значения отрицательного напряжения Uзи между
        Рис 4.1. Упрощенная структура полевого транзистора с        затвором и истоком ведет к укорачиванию участка насыщения.
управляющим p-n-переходом (а); условные обозначения транзистора,    Дальнейшее увеличение напряжения Uси может привести к пробою p-
имеющего канал n-типа (б) и p-типа (в); типовые структуры (г, д);   n перехода между затвором и каналом и тем самым к выходу из строя
структура транзистора с повышенным быстродействием (е)              транзистора.
                                                                         По выходным характеристикам может быть построена
      В транзисторе с p - каналом основными носителями заряда       передаточная характеристика Iс=f(Uзи)) (рис.4.3). На участке
являются дырки, которые движутся в направлении снижения             насыщения она практически не зависит от напряжения Uси.
потенциала, поэтому Uси < 0, Uзи ≥ 0. Когда суммарное напряжение          Основными параметрами полевых транзисторов являются
достигает напряжения запирания Uси < │Uзи│= Uзап, сопротивление     крутизна характеристики передачи
канала резко возрастает.
     Зависимость тока стока Iс от напряжения Uси при постоянном
напряжении Uси называются выходными (стоковыми) вольт -                                        dI С
амперными характеристиками полевого транзистора (рис 4.2).                              S=             U СИ = const
                                                                                              dU ЗИ
                                                                     и дифференциальное сопротивление стока на участке насыщения

Страницы