Изучение поглощения гамма-излучения в веществе. Фетисов И.Н. - 8 стр.

                                    µм=-ln(n/n0)/(ρ
                                                  ρl).
По правилам вычисления относительной средней квадратичной погрешности косвенных
измерений имеем
                           2          2          2                        2
                  ∆µ м        ∆l      ∆ρ       ∆ ln( n / n0 )                   (10)
                         =      +      +                 
                   µм         l       ρ         ln( n / n 0 )  
где ∆l - средняя квадратичная погрешность измерения толщины поглотителя. Последнее
слагаемое в (10), обусловленное статистической природой радиоактивного распада, в данной
работе невелико и им можно пренебречь. Тогда из (10) получим
                                                                                     (11)
                       ∆µ м = µ м ( ∆l / l ) + ( ∆ρ / ρ )
                                                2              2


Вычислить погрешность по формуле (11), приняв ∆ρ/ρ=0,01 (разброс плотности различных
марок металла). Погрешность ∆l оценить самостоятельно.
6. Пользуясь рис. 4, определить теоретические значения µм для материалов данной работы;
записать результаты в табл. 3. Объяснить возможное расхождение эксперимента с теорией.

                                   Контрольные вопросы
1. Опишите процессы взаимодействия γ-излучения с веществом.
2. Как изменяется поток γ-квантов с толщиной поглотителя?
3. Какой физический смысл имеют величины µ и µм , как они зависят от Z и Е ?
4. Почему при E≈1...4 МэВ различные поглотители имеют близкие значения µм ?
5. Объяснить причину расхождения теоретических и экспериментальных значений µм.

                                 Содержание отчета
Отчет должен содержать краткий конспект теоретической части, схему опыта и
экспериментальные данные (таблицы 1...3 и график).

                                      Литература
Детлаф А. А., Яворский Б.М. Курс физики. – М.: Высшая школа. - 1979. - Т. 3. - 511 с.