ВУЗ:
рование электронов в
многобарьерных
структурах
двухбарьерную структуру. Условия возникновения
резонансных пиков. Методы матрицы перехода и рассеяния,
их свойства. Формула Брейта-Вигнера. Модели сшивания
волновых функций на границах. Квазистационарные
состояния. Открытая квантовая яма, времена жизни
резонансов, полуширина пика. Эффекты междолинного
смешивания электронных состояний на гетерогранице. Фано-
резонансы, их проявления в электрических и оптических
характеристиках.
Примерная тематика рефератов, курсовых работ:
1. Влияние плавного интерфейсного потенциала на резонансное туннелирование
электронов в многобарьерных квантовых структурах.
2. Электронные состояния в нитридных структурах с учетом спонтанной поляризации и
пьезоэффекта.
3. Модели спиновых свойств гетероструктур.
4. Методы расчета электронных состояний в квантовых точках.
III. Распределение часов курса по темам и видам
работ
Аудиторные занятия (час)
в том числе
№
пп
Наименование
темы
Всего
часов
лекции семинары
лаборатор.
занятия
Самостоя-
тельная
работа
1 Электронные и
фононные состояния
в низкоразмерных
структурах
17 12 3 - 2
2 Физические свойства
сверхрешеток
14 10 2 - 2
3
Резонансное
туннелирование
электронов в
многобарьерных
структурах
17 12 3 2
ИТОГО 48 34 8 - 6
IV. Форма итогового контроля
Экзамен
V. Учебно-методическое обеспечение курса
1. Рекомендуемая литература (основная)
:
1. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989.
2. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир,
1990.
3. Кульбачинский В.А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. М.
1998.
4. Воробьев Л.Е., Данило С.Н., Зегря Г.Г., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Яссиевич И.Н.,
Берегулин
Е.В. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных
структурах. Санкт-Петербург, Наука, 2001.
