Рубрика:
15
Контрольные вопросы
1. Расскажите о явлении внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.
2. Как образуются избыточные носители тока в полупроводниках под
действием квантов света?
3. Что такое "темновая" электропроводность полупроводника?
4. Объясните возможные типы переходов электронов при поглощении
квантов света.
5. Объясните характер зависимости фототока от светового потока,
падающего на фотосопротивление (световая характеристика).
6. Расскажите о методе исследования вольтамперных и световых
характеристик фотосопротивлений в данной работе.
7. Выведите формулу для удельной чувствительности.
8. Перечислите основные достоинства и недостатки фотосопротивлений.
9. Объясните механизм собственной и примесной проводимости в
полупроводниках с точки зрения зонной теории.
Лабораторная работа № 325
Исследование вольтамперной характеристики
полупроводникового диода
Цель и содержание работы
Целью работы является изучение свойств полупроводникового диода.
Содержание работы состоит в получении вольтамперной характеристики
полупроводникового диода, определении коэффициента выпрямления и
внутреннего сопротивления диода.
Действие p-n- перехода, обладающей односторонней проводимостью,
аналогично выпрямляющему действию двухэлектродной лампы-диода. Поэтому
полупроводник с одним p-n- переходом называется полупроводниковым
диодом.
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода аналогична
вольтамперной характеристики p-n- перехода и представлена на рис. 14.
Масштаб кривой различен для прямого и обратного токов: прямой ток
измеряется в миллиамперах, а обратный - в микроамперах.
Рис.14. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода
