Теоретические основы прогрессивных технологий. Концепции современного естествознания (химические основы). Фокин В.В - 20 стр.

UptoLike

20
Для придания частицам устойчивости против слипанияаг-
регативной устойчивостинеобходимо создание на поверхности
частиц защитных слоев: двойных электрических слвев (ДЭС),
приводящих к возникновению электростатического отталкивания
(ионно-электростатический фактор устойчивости), а также соль-
ватных и адсорбционно-сольватных слоев, препятствующих в си-
лу своих особых структурно-механических свойств соприкосно-
вению и слипанию
частиц (структурный фактор стабилизации).
Наряду с агрегативной устойчивостью говорят об устойчи-
вости седиментационнойпротив оседания частиц под действи-
ем силы тяжести. Препятствует оседанию частиц диффузия,
стремящаяся распределить их равномерно во всем объеме систе-
мы и удерживающая достаточно мелкие частицы (размером ме-
нее 10
-6
м) во взвешенном состоянии.
Дисперсные системы могут быть получены двумя путями:
конденсацией молекул и дроблением более крупных частиц до
нужной степени дисперсности.
Конденсационный путь образования дисперсных систем
связан с выделением новой фазы из гомогенной системы, нахо-
дящейся в метастабильном состоянии, например кристаллизация
из пересыщенного раствора, конденсация пересыщенного пара и
т
.п.
Различают химическую и физическую конденсацию.
Химическая конденсация. Если при химической реакции
образуется трудно растворимое соединение, то оно при опреде-
ленных условиях может быть получено в виде коллоидного рас-
твора. Для этого нужно, во-первых, вести реакцию в разбавлен-
ном растворе, чтобы скорость роста кристаллических частиц бы-
ла невелика, тогда частицы получатся мелкие (10
-7
– 10
-9
м) и сис-
теме будет обеспечена седиментационная устойчивость; во-
вторых, одно из реагирующих веществ взять в избытке, чтобы на
поверхности кристалла мог образоваться ДЭСосновной фактор
агрегативной устойчивости.
Физическая конденсация. В основе способа лежит конден-
сация молекул одного веществабудущей дисперсной фазы в
другом веществебудущей дисперсионной среде. Практически