Составители:
35
()
2
4,
T
VkTRf=∆
(4.8)
где R – эквивалентное шумовое сопротивление.
Для фоторезистивных и фотовольтаиче ских твердотельных ПИ при
глубоком охлаждении этой составляющей шума обычно пренебрегают.
2. Радиационный (фотонный) шум. Дисперсия флуктуаций мощ-
ности излучения, поступающего от фона, имеющего температуру T
ф
и
коэффициент излучения ε
т.ф
, на ПИ в полосе частот ∆f
25
ит.фф эл
8.kT S f∆Φ = ε σ ∆ (4.9)
3. Генерационно-рекомбинационный шум. Основным видом шума
в полупроводниках на промежуточных частотах является генерацион-
но-рекомбинационный шум, который связан с флуктуациями проце ссов
генерации и рекомбинации носителей зарядов. Он аналогичен дробо-
вым шумам в вакуумных приборах.
4.2. То ковая и вольтовая чувствительности.
Динамический диапазон
Они имеют исключительно важное значение, так как определяют
величину выходного сигнала с ПИ.
Типичные значения токовой (или ампер-ваттной) чувствительности
S
J
для фотосопротивлений на основе Pbs или PbSe достигают 1–2⋅I0
5
для матриц с T
кадр
≈ 0,1 c.
Фотовольтаиче ские (фотодиодные) приемники обладают вольт-ва т-
тной чувствительностью
()
B/Bт
V
S .
Важнейшим параметром любого ПИ является динамический диапа-
зон – область значений входного потока, в которой сохраняется линей-
ная (или близкая к ней) зависимость выходного сигнала от величины
входного потока или фоновой облученности. Но чаще динамиче ский
диапазон определяют как отношение сигнала насыщения свет-сигналь-
ной характеристики к среднеквадратичному значению шума ПИ
ш
.
U
σ
Ситуация сильно осложняется, когда облученность на входном зрач-
ке ОС от фона превышает соответствующую облученность на входном
зрачке ОС от цели в 100–1000 раз.
Облученность от фона на входном зрачке ОС создает облученность
в плоскости фокусировки ОС на поверхности ПИ через формулу (3.15),
которая зависит от фокусного расстояния ОС F.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
