Аэрокосмические фотоприемные устройства видимого и инфракрасного диапазонов. Формозов Б.Н. - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

26
ный случай (рис. 3.5, 4). Очевидно, что высота барьера в этом пре-
дельном случае равна разности между работой выхода металла и полу-
проводника
()
,
Bn m
q
q
ϕ
=
ϕ
−
χ
(3.8)
где V
bi
– контактная разность потенциалов; W – ширина обеденного
слоя.
Îáåäíåííûé ñëîé
Итак, при контакте металла с полупроводником валентная зона про-
водимости полупроводника занимает определенное энергетическое по-
ложение по отношению к уровню Ферми металла.
Зонные энергетические диаграммы контактов металла с полупро-
водником n-типа показаны на рис. 3.6 (при разных смещениях), где a –
термодинамическое равновесие; б – при прямом смещении; в – при об-
ратном смещении.
Рис. 3.7 иллюстрирует энергетическую диаграмму барьера Шоттки
относительно уровня электрона в вакууме, где
Bo
q
ϕ
– высота барьера в
отсутствие поля;
Bn
q
ϕ
– высота барьера при термодинамическом рав-
новесии;
F
∆
ϕ
– повышение барьера при прямом смещении;
∆
ϕ
– по-
нижение барьера при обратном смещении.
qϕ
Β
n
qV
bi
E
F
E
c
E
V
а)
q(V
bi
–V
F
)
qV
F
б)
q(V
bi
+V
R
)
qV
R
в)
Рис. 3.6

Страницы