ВУЗ:
Составители:
47
Таблица 3. Физические параметры полупроводников (T = 300 К)
Полупроводник
Кристаллическая
структура
Период решетки,
нм
Плотность,
Мг·м
-3
Температура плав-
ления, °C
Темп. коэфф. ли-
нейн. расшир.,
α
l
·10
6
, К
-1
Ширина запр. зоны
ΔW, эВ
(d(ΔW)10)/dT, эВ·К
-
1
Подвижность μ,
м
2
·(В·с)
-1
Низкочастотная
диэл. прониц-сть
электронов
дырок
Ge Типа
алмаза
0,565 5,43 937 5,8 0,66 3,9 0,39 0,19 16,0
Si 0,542 2,33 1415 2,3 1,12 2,8 0,14 0,05 12
C 0,357 3,51 3500 0,8 5,49 - 0,24 0,21 5,7
α-SiC
Гексаго-
нальная,
6Н
a = 0,308
c = 15,12
3,22 2205 - 3,02 - 0,033 0,06 10,0
GaN
Типа
вюрцита
a = 0,319
c = 0,518
6,11 1700 5,7 3,40 3,9 0,03 - 12,2
AlP Типа
сфалери-
та
0,546 2,37 2000 4,2 2,45 2,6 0,008 0,003 9,8
GaP 0,545 4,07 1467 4,7 2,26 4,7 0,019 0,012 11,1
InP 0,587 4,78 1070 4,6 1,35 2,8 0,46 0,015 12,4
AlAs 0,566 3,60 1770 3,5 2,16 4,0 0,028 - 10,1
GaAs 0,565 5,32 1238 5,4 1,43 4,0 0,95 0,045 13,1
InAs 0,606 5,67 942 4,7 0,36 3,5 3,3 0,046 14,6
AlSb 0,614 4,28 1060 4,2 1,58 3,5 0,02 0,055 14,4
GaSb 0,610 5,65 710 6,1 0,72 3,6 0,4 0,14 15,7
InSb 0,648 5,78 525 4,9 0,18 3,0 7,8 0,075 17,7
ZnS 0,541 4,09 1020
*
- 3,67 5,3 - - 5,2
ZnS
Типа
вюрцита
a = 0,382
c = 0,626
4,10 1780 6,2 3,74 3,8 0,014 0,0005 5,2
CdS
a = 0,413
c = 0,675
4,82 1750 5,7 2,53 4,9 0,034 0,011 5,4
ZnSe
Типа
сфалери-
та
0,566 5,42 1520 1,9 2,73 7,2 0,026 0,0015 9,2
CdSe
Типа
вюрцита
a = 0,430
c = 0,701
5,81 1264 - 1,85 4,1 0,072 0,0075 10,0
ZnTe Типа
сфалери-
та
0,610 6,34 1239 8,3 2,23 - 0,053 0,003 10,4
CdTe 0,648 5,86 1041 4,0 1,51 4,1 0,12 0,006 10,2
HgTe 0,646 8,09 670 4,8 0,08 - 2,5 0,02 -
PbS Типа
NaCl
0,594 7,61 1114 - 0,39 3,3 0,06 0,07 17,0
PbSe 0,612 8,15 1076 - 0,27 4,0 0,12 0,10 -
PbTe 0,646 8,16 917 - 0,32 4,3 0,08 0,09 30,0
* Температура фазового перехода
Таблица 3. Физические параметры полупроводников (T = 300 К)
Подвижность μ,
(d(ΔW)10)/dT, эВ·К-
Ширина запр. зоны
Температура плав-
Период решетки,
Кристаллическая
Темп. коэфф. ли-
диэл. прониц-сть
м2·(В·с)-1
Низкочастотная
Полупроводник
нейн. расшир.,
Плотность,
структура
ления, °C
αl·106, К-1
ΔW, эВ
Мг·м-3
электронов
нм
1
дырок
Ge Типа 0,565 5,43 937 5,8 0,66 3,9 0,39 0,19 16,0
Si алмаза 0,542 2,33 1415 2,3 1,12 2,8 0,14 0,05 12
C 0,357 3,51 3500 0,8 5,49 - 0,24 0,21 5,7
Гексаго-
a = 0,308
α-SiC нальная, 3,22 2205 - 3,02 - 0,033 0,06 10,0
c = 15,12
6Н
Типа a = 0,319
GaN 6,11 1700 5,7 3,40 3,9 0,03 - 12,2
вюрцита c = 0,518
AlP Типа 0,546 2,37 2000 4,2 2,45 2,6 0,008 0,003 9,8
GaP сфалери- 0,545 4,07 1467 4,7 2,26 4,7 0,019 0,012 11,1
InP та 0,587 4,78 1070 4,6 1,35 2,8 0,46 0,015 12,4
AlAs 0,566 3,60 1770 3,5 2,16 4,0 0,028 - 10,1
GaAs 0,565 5,32 1238 5,4 1,43 4,0 0,95 0,045 13,1
InAs 0,606 5,67 942 4,7 0,36 3,5 3,3 0,046 14,6
AlSb 0,614 4,28 1060 4,2 1,58 3,5 0,02 0,055 14,4
GaSb 0,610 5,65 710 6,1 0,72 3,6 0,4 0,14 15,7
InSb 0,648 5,78 525 4,9 0,18 3,0 7,8 0,075 17,7
ZnS 0,541 4,09 1020* - 3,67 5,3 - - 5,2
Типа a = 0,382
ZnS 4,10 1780 6,2 3,74 3,8 0,014 0,0005 5,2
вюрцита c = 0,626
a = 0,413
CdS 4,82 1750 5,7 2,53 4,9 0,034 0,011 5,4
c = 0,675
Типа
ZnSe сфалери- 0,566 5,42 1520 1,9 2,73 7,2 0,026 0,0015 9,2
та
Типа a = 0,430
CdSe 5,81 1264 - 1,85 4,1 0,072 0,0075 10,0
вюрцита c = 0,701
ZnTe Типа 0,610 6,34 1239 8,3 2,23 - 0,053 0,003 10,4
CdTe сфалери- 0,648 5,86 1041 4,0 1,51 4,1 0,12 0,006 10,2
HgTe та 0,646 8,09 670 4,8 0,08 - 2,5 0,02 -
PbS Типа 0,594 7,61 1114 - 0,39 3,3 0,06 0,07 17,0
PbSe NaCl 0,612 8,15 1076 - 0,27 4,0 0,12 0,10 -
PbTe 0,646 8,16 917 - 0,32 4,3 0,08 0,09 30,0
* Температура фазового перехода
47
