Материаловедение и материалы электронных средств. Фролова Т.Н. - 47 стр.

UptoLike

Составители: 

47
Таблица 3. Физические параметры полупроводников (T = 300 К)
Полупроводник
Кристаллическая
структура
Период решетки,
нм
Плотность,
Мг·м
-3
Температура плав-
ления, °C
Темп. коэфф. ли-
нейн. расшир.,
α
l
·10
6
, К
-1
Ширина запр. зоны
ΔW, эВ
(d(ΔW)10)/dT, эВ·К
-
1
Подвижность μ,
м
2
·(В·с)
-1
Низкочастотная
диэл. прониц-сть
электронов
дырок
Ge Типа
алмаза
0,565 5,43 937 5,8 0,66 3,9 0,39 0,19 16,0
Si 0,542 2,33 1415 2,3 1,12 2,8 0,14 0,05 12
C 0,357 3,51 3500 0,8 5,49 - 0,24 0,21 5,7
α-SiC
Гексаго-
нальная,
6Н
a = 0,308
c = 15,12
3,22 2205 - 3,02 - 0,033 0,06 10,0
GaN
Типа
вюрцита
a = 0,319
c = 0,518
6,11 1700 5,7 3,40 3,9 0,03 - 12,2
AlP Типа
сфалери-
та
0,546 2,37 2000 4,2 2,45 2,6 0,008 0,003 9,8
GaP 0,545 4,07 1467 4,7 2,26 4,7 0,019 0,012 11,1
InP 0,587 4,78 1070 4,6 1,35 2,8 0,46 0,015 12,4
AlAs 0,566 3,60 1770 3,5 2,16 4,0 0,028 - 10,1
GaAs 0,565 5,32 1238 5,4 1,43 4,0 0,95 0,045 13,1
InAs 0,606 5,67 942 4,7 0,36 3,5 3,3 0,046 14,6
AlSb 0,614 4,28 1060 4,2 1,58 3,5 0,02 0,055 14,4
GaSb 0,610 5,65 710 6,1 0,72 3,6 0,4 0,14 15,7
InSb 0,648 5,78 525 4,9 0,18 3,0 7,8 0,075 17,7
ZnS 0,541 4,09 1020
*
- 3,67 5,3 - - 5,2
ZnS
Типа
вюрцита
a = 0,382
c = 0,626
4,10 1780 6,2 3,74 3,8 0,014 0,0005 5,2
CdS
a = 0,413
c = 0,675
4,82 1750 5,7 2,53 4,9 0,034 0,011 5,4
ZnSe
Типа
сфалери-
та
0,566 5,42 1520 1,9 2,73 7,2 0,026 0,0015 9,2
CdSe
Типа
вюрцита
a = 0,430
c = 0,701
5,81 1264 - 1,85 4,1 0,072 0,0075 10,0
ZnTe Типа
сфалери-
та
0,610 6,34 1239 8,3 2,23 - 0,053 0,003 10,4
CdTe 0,648 5,86 1041 4,0 1,51 4,1 0,12 0,006 10,2
HgTe 0,646 8,09 670 4,8 0,08 - 2,5 0,02 -
PbS Типа
NaCl
0,594 7,61 1114 - 0,39 3,3 0,06 0,07 17,0
PbSe 0,612 8,15 1076 - 0,27 4,0 0,12 0,10 -
PbTe 0,646 8,16 917 - 0,32 4,3 0,08 0,09 30,0
* Температура фазового перехода