Методы анализа и расчета электронных схем - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

Коэффициенты обратной и прямой передачи тока транзистора с
общим эмиттером или общим коллектором обозначаются через β
I
и β
N
,
которые связаны с коэффициентами α
I
, α
N
следующими соотношениями:
β
N
= α
N
/(1- α
N
) и β
I
= α
I
/(1- α
I
) . (1.6)
Практическая нелинейная статическая модель транзистора, как и для
диода, дополняется слагаемыми, учитывающими сопротивления в толщине
полупроводникового материала (рисунок 1.4 б) [5].
Математическая модель в этом случае примет следующий вид:
∂
∂
+++−=
∂
∂
+++−=
t
u
СС
R
u
iii
t
u
CC
R
u
iii
К
бКдК
УK
K
NKK
Э
бЭдЭ
УЭ
Э
RIЭЭ
)(
)(
'
'
'`
''`
α
α
. (1.7)
При анализе электронных схем, содержащих нелинейные элементы,
используется кусочно-линейная аппроксимация, которая основана на
замене отдельных участков характеристики f(x) отрезками прямых линий.
Точки излома кусочно-линейной характеристики y(x) располагаются так,
чтобы
max |f(x) – y(x)| были минимальны на каждом интервале линейного
приближения. Кусочно-линейное представление характеристик элементов
используется для получения кусочно-линейных эквивалентных схем
замещения. Так, в случае аппроксимации вольт-амперной характеристики
нелинейного элемента координате
x
k
соответствует напряжение u
k
, а
координате
y
k
– ток i
k
и кусочно-линейная схема замещения представляется
схемой, состоящей из линейного резистивного элемента и источника
постоянного тока или напряжения (рисунок 1.6) [6].
а) б)
Рисунок 1.6
Аппроксимации ВАХ нелинейных элементов, управляемых
напряжением соответствует схема замещения, приведенная на рисунке
1.6 а, состоящая из источника тока с задающим током I
k
и линейной
проводимости G
k
:
15
     Коэффициенты обратной и прямой передачи тока транзистора с
общим эмиттером или общим коллектором обозначаются через βI и βN,
которые связаны с коэффициентами αI , αN следующими соотношениями:

     βN = αN /(1- αN)             и         βI = αI /(1- αI) .        (1.6)

     Практическая нелинейная статическая модель транзистора, как и для
диода, дополняется слагаемыми, учитывающими сопротивления в толщине
полупроводникового материала (рисунок 1.4 б) [5].
     Математическая модель в этом случае примет следующий вид:

                             uЭ                  ∂uЭ
       iЭ = iЭ
               '`
                  − α I iR
                          '
                            +     + (CдЭ  + CбЭ )
                             RУЭ                  ∂t
                                                        .            (1.7)
      i = i '` − α i ' + u K + (С + С ) ∂uК
       K     K       N '
                              RУK
                                       дК     бК
                                                    ∂t

     При анализе электронных схем, содержащих нелинейные элементы,
используется кусочно-линейная аппроксимация, которая основана на
замене отдельных участков характеристики f(x) отрезками прямых линий.
Точки излома кусочно-линейной характеристики y(x) располагаются так,
чтобы max |f(x) – y(x)| были минимальны на каждом интервале линейного
приближения. Кусочно-линейное представление характеристик элементов
используется для получения кусочно-линейных эквивалентных схем
замещения. Так, в случае аппроксимации вольт-амперной характеристики
нелинейного элемента координате xk соответствует напряжение uk , а
координате yk – ток ik и кусочно-линейная схема замещения представляется
схемой, состоящей из линейного резистивного элемента и источника
постоянного тока или напряжения (рисунок 1.6) [6].




                     а)                                          б)
                                            Рисунок 1.6

      Аппроксимации ВАХ нелинейных элементов, управляемых
напряжением соответствует схема замещения, приведенная на рисунке
1.6 а, состоящая из источника тока с задающим током Ik и линейной
проводимости Gk:



                                                                         15

Страницы