Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 63 стр.

UptoLike

63
ведени
або
абота 2. Изучение температурной зависимости свойств
металлов и полупроводников……………………...12
абота 3. Исследование вольт-амперной характеристики
электронно - дырочного перехода…………………20
абота 4. Электрофизические свойства электронно-дырочных
переходов, смещенных в обратном направлении…29
абота 5. Исследование проводимости МДП-структур……….38
абота 6. Исследование электрофизических свойств границы
раздела диэлектрик-полупроводник в МДП
структуре……………………………………………..51
Правила зических основ
……………...60
……….62
Содержание
е…………………………………………………….…3 В
Р та 1. Изучение эффекта Холла………………………….…4
Р
Р
Р
Р
Р
работы в лаборатории фи
микроэлектро ………………
ники……
Литература ……………………………………………