Физические основы электроники. Глазачев А.В - 111 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
111
хода и перебрасываются в область коллектора, а в базе остаётся нескомпенсированный заряд элек-
тронов – основных носителей – который приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного
перехода и к инжекции дырок из эмиттера в базу. Это приведёт к увеличению коллекторного тока,
как если бы на вход транзистора был бы подан входной сигнал, вызвавший такую же инжекцию но-
сителей. Но здесь вместо входного электрического сигнала был использован световой сигнал. Кол-
лекторный ток
фк
II b=
, где
b
– коэффициент передачи транзистора по току;
ф
I – фототок, воз-
никший в базовой области под действием светового входного сигнала. Таким образом, чувствитель-
ность фототранзистора в
b
раз больше чувствительности фотодиода.
Схемы включения его, так же, как и биполярного транзистора, могут быть с общей базой, об-
щим эмиттером, с общим коллектором. В качестве примера на рис. 6.22 приведена схема включения
с общим эмиттером.
Вольт-амперная характеристика фототранзистора очень напоминает выходные характеристики
биполярного транзистора (рис. 6.23), с той лишь разницей, что снимаются они при постоянном све-
товом потоке. Остальные характеристики фототранзистора идентичны характеристикам фотодиода.
Основными недостатками фототранзистора являются его большая температурная зависимость и пло-
хие частотные свойства.
к
E
-
вых
U
к
R
0
Ф
1
Ф
2
Ф
3
Ф
кэ
U
к
I
Рис. 6.22. Включение фототранзистора по схеме
с общим эмиттером
Рис. 6.23. Вольт-амперные характеристики фототранзистора
6.2.4. Фототиристоры
По такому же принципу, как и управление фототранзистором, можно управлять и тиристором.
Такой прибор называется фототиристором.
Вместо управляющего электрода сигнал управления в виде потока лучистой энергии (рис. 6.24)
подаётся в специальное окно в корпусе прибора, что приводит к тем же явлениям, как если бы был
подан электрический сигнал управления на управляющий электрод. Все остальные характеристики
такого тиристора аналогичны характеристикам обычного тиристора с электрическим управлением.
Ф
1
p
1
n
2
p
2
n
1
П
2
П
3
П
+
-
U
R
A
K
I
Рис. 6.24. Конструкция фототиристора (а ); структура фототиристора (б)
и его условное графическое обозначение (в)
На рис. 6.25 представлена вольт-амперная характеристика фототиристора.
Фототиристоры используются для коммутации световым сигналом электрических сигналов
большой мощности. Сопротивление фототиристора изменяется от
8
10
Ом (в запертом состоянии)
до
1
10
-
Ом в открытом состоянии. Время переключения тиристоров лежит в пределах
65
10...10
--
с.

Страницы