Физические основы электроники. Глазачев А.В - 34 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
34
3. Отношение токов
в
п
I
I
(для
туннельных диодов из
GaAs
отноше-
ние
10
в
п
³
I
I
, для германие-
вых
63
в
п
K»
I
I
);
4. Напряжение пика
п
U – значе-
ние прямого напряжения, соответст-
вующее пиковому току;
5. Напряжение впадины
в
U –
значение прямого напряжения, соот-
ветствующее току впадины;
6. Напряжение раствора
рр
U –
значение прямого напряжения на второй
восходящей ветви, при котором ток
равен пиковому току.
Работа туннельного
диода иллюстрируется диа-
граммами, изображенными
на рис. 2.14.
В равновесном со-
стоянии системы уровень
Ферми постоянен для обеих
областей полупроводнико-
вого диода, поэтому другие
энергетические уровни ис-
кривляются настолько
сильно, что нижняя граница
дна зоны проводимости об-
ласти n-типа оказывается
ниже верхней границы по-
толка валентной зоны об-
ласти p-типа, и так как пе-
реход очень узкий, то носи-
тели заряда могут перехо-
дить из одной области в
другую без изменения своей
энергии, просачиваться
сквозь потенциальный
барьер, т.е. туннелировать
(рис. 2.14, б).
В состоянии равнове-
сия потоки носителей из
одной области в другую
одинаковы, поэтому резуль-
тирующий ток равен нулю.
Под воздействием внешне-
го поля энергетическая диа-
грамма изменится. При
подключении прямого на-
пряжения уровень Ферми и
положение энергетических
Рис. 2.13. Туннельный диод:
вольт-амперная характеристика одного из диодов при прямом
смещении (а); конструктивное исполнение (б); условное графическое
изображение (в)
ПР
U
ПР
I
maxПР
I
П
I
П
U
В
U
maxПР
U
РР
U
а
б
в
г
д
е
ж
В
I
Е
Пp
Е
Пn
Е
Вp
Е
Вn
Е
F
Е
F
p
n
U=0
Е
Пp
Е
Пn
Е
Вp
Е
Вn
Е
F
Е
F
p
n
U
б
Е
Пp
Е
Пn
Е
Вp
Е
Вn
Е
F
Е
F
p
n
U
П
Е
Пp
Е
Пn
Е
Вp
Е
Вn
Е
F
Е
F
p
n
U
г
Е
Пp
Е
Пn
Е
Вp
Е
Вn
Е
F
Е
F
p
n
U
В
Е
Пp
Е
Пn
Е
Вp
Е
Вn
Е
F
Е
F
p
n
U
РР
Е
Пp
Е
Пn
Е
Вp
Е
Вn
Е
F
Е
F
p
n
U
д
а
б
в
г
д е
ж з
Рис. 2.14. Зонные энергетические диаграммы,
поясняющие особенности вольт-амперной характеристики туннельного диода

Страницы