Физические основы электроники. Глазачев А.В - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
69
Коллекторные токи покоя
01к
I и
02к
I задаются напряжением смещения,
подаваемым на базы транзисторов с сопро-
тивлений
2
R
и
3R
, и составляют незначи-
тельную часть максимального тока в на-
грузке:
(
)
maxк0201,к
15,005,0 II K
=
,
вследствие этого результирующая характе-
ристика управления двухтактной схемы
класса AB принимает линейный вид
(штрихпунктирная линия на рис. 3.35).
Напряжения смещения транзисторов
1VT
и
2VT
определяются как
201бэ R
UU
=
;
302бэ R
UU
=
.
Ток делителя
1
R
,
2
R
,
3R
,
4
R
должен быть не ме-
нее
maxб
I :
(
)
maxбд
53 II K
=
.
Чем ближе работа уси-
лительного каскада к классу A
(чем больше угол отсечки
p<q<
p
2
), тем меньше КПД,
но лучше линейность усиле-
ния.
КПД каскадов при та-
ком классе усиления выше,
чем для класса А, но меньше,
чем в классе В, за счет нали-
чия малого коллекторного
тока
к0
I .
3.11.4. Режим класса С
В режиме класса С рабочая
точка А располагается выше на-
чальной точки характеристики
передачи по току (рис. 3.36).
Здесь ток коллекторной це-
пи протекает в течение времени,
которое меньше половины пе-
риода входного сигнала, поэтому
угол отсечки
o
90<q
. Поскольку
больше половины рабочего вре-
мени транзистор закрыт (коллек-
торный ток равен нулю), мощ-
ность, потребляемая от источника
питания, снижается, так что КПД
каскада приближается к 100%.
VT
С
вх
u
н
R
VT
R
R
ф
С
R
4
R
С
к
E
-
к
E
+
Рис.
3.34.
Двухтактная схема класса
AВ
с делителем напряжения
01бэ2
UU
R
=
02бэ3
UU
R
=
01к
I
1к
I
н
I
q
2
б
u
q
02к
I
бэ1
U
2к
I
бэ2
U
m
I
к
m
I
к
p<q<
p
2
Рис. 3.35.
Характеристика управления двухта
к
ной схемы, работающей в кла
с
се
AB
к
i
q
q
б
I
к
I
бэ
U
вх
u
б
i
A
Рис. 3.36.
Усиление в режиме класса
С

Страницы