Физические основы электроники. Глазачев А.В - 74 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
74
кк0ккэ0
RIEU
-
=
, (3.60)
т.е. отрицательный потенциал коллек-
тора относительно эмиттера будет
уменьшаться; а поскольку он через ре-
зистор
б
R приложен к базе транзисто-
ра, то и отрицательный потенциал базы
относительно эмиттера будет умень-
шаться, т.е. будет снижаться началь-
ный базовый ток (ток смещения), а на-
чальный коллекторный ток вернется к
прежнему значению.
Здесь, так же как и в предыдущей
схеме под действием сигнала обратной
связи стабилизируется начальный кол-
лекторный ток
к0
I . Чтобы при этом не
снижать коэффициент усиления по пе-
ременной составляющей и не ослаб-
лять полезный сигнал, в схему вводят
конденсатор
ф
C (рис. 3.43, б). В этом
случае резистор
б
R заменяют двумя
резисторами
б1
R и
б2
R . Переменная,
составляющая коллекторного напря-
жения, замыкается через конденсатор
ф
C и практически не оказывает влия-
ние на напряжение
бэ
U транзистора, а следовательно и на коэффициент усиления полезного сигнала.
3.13. Составной транзистор
Составным транзистором называется соединение двух и более транзисторов, эквивалентное од-
ному транзистору, но с большим коэффициентом усиления или другими отличительными свойствами.
Известно несколько схем составного транзистора.
1. Схема Дарлингтона. Она характеризуется тем, что входные цепи всех входящих в нее транзи-
сторов соединены последовательно, а выходные цепи – параллельно (рис. 3.44). Транзисторы
1VT
и
2VT
, входящие в состав составного транзистора,
можно представить в виде одного транзистора с вы-
водами эмиттера (Э), базы (Б) и коллектора (К). Кол-
лекторный ток составного транзистора равен сумме
коллекторных токов, входящих в него транзисторов:
к2к1к
III
+
=
. (3.61)
Коллекторный ток транзистора
1VT
:
б1б11к1
III
b
=
b
=
, (3.62)
где
1
b
– коэффициент усиления по току
транзистора
1VT
.
Коллекторный ток транзистора
2VT
:
б22к2
II
b
=
, (3.63)
где
2
b
– коэффициент усиления по току транзистора
2VT
,
б2
I – ток базы транзистора
2VT
.
Учитывая, что
бк1б2
III
+
=
, получаем
(
)
(
)
б1б2к1б2к2
IIIII
b
+
b
=
+
b
=
.
Коэффициент усиления по току составного транзистора:
б
к2к1
б
к
I
II
I
I
+
==b . (3.64)
вых
U
R
1
VT
1
С
2
С
вх
U
E
-
б
R
б0
I
E
+
к0
I
кэ0
U
вых
U
к
R
1
VT
1
С
2
С
вх
U
к
E
-
б1
R
E
+
ф
С
б2
R
Рис. 3.43. Схемы коллекторной стабилизации положения рабочей точки
Э
Б
К
б2
I
б1
I
к1
I
к2
I
1
VT
2
VT
Рис. 3.44. Составной транзистор по схеме Дарлингтона

Страницы