Физические основы электроники. Глазачев А.В - 87 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
87
В последнее время МДП-транзисторы
всё чаще обозначают термином, заимство-
ванным из зарубежной литературы, – MOS-
FET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor).
Выводы:
1. Полевой транзистор с изолирован-
ным затвором - это полупроводниковый
прибор, в котором управляющий электрод
отделен от токопроводящего канала слоем диэлектрика.
2. В отличие от полевого транзистора с управляющим p
-
n-переходом входное сопротивление по-
левого транзистора с изолированным затвором остается очень большим при любой полярности подан-
ного на вход напряжения.
3. Полевые транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения, так и в
режиме обогащения канала свободными носителями заряда.
4. Полевые транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогаще-
ния.
5. Основными достоинствами полевого транзистора являются его большое сопротивление по по-
стоянному току и высокая технологичность. Последнее обусловливает широкое применение полевых
транзисторов при разработке микросхем.
4.5.3. Сравнение МДП- и биполярного транзистора
МДП-транзисторы и биполярные транзисторы выполняют одинаковые функции: работают в схе-
ме, или в качестве линейного усилителя, или в качестве ключа. В табл. 4.1 приведено краткое обоб-
щающее сравнение транзисторов этих двух типов.
Таблица 4.1
Свойства биполярных и МДП-транзисторов
Биполярные транзисторы
МДП
-
транзисторы
Физические свойства
Управляемый физический процесс
–
н-
жекция неосновных носителей заряда: из-
меняется ток управления – изменяется
поток инжектированных носителей заря-
да, что приводит к изменению выходного
тока.
Управляемый физический процесс
–
эффект поля, в
ы-
зывающий изменение концентрации носителей заряда
в канале: изменяется управляющее напряжение – из-
меняется проводимость канала, что приводит к из-
менению выходного тока.
Выходной ток обеспечивается носит
е
лями
заряда обоих знаков (дырками и электро-
нами).
Выходной ток обеспечивается основными носител
я-
ми заряда одного знака (или дырками, или электрона-
ми).
Низкая теплостойкость: с увел
чением
тока растет температура структуры,
что приводит к большему увеличению то-
ка.
Высокая теплостойкость: рост температуры
структуры приводит к увеличению сопротивления
канала, и ток уменьшается.
Особенности эксплуатации
Прибор управляется током, т.к. на входе
имеется прямосмещенный p–n-переход и
входное сопротивление мало.
Прибор управляется напряжением, входное с
о-
противление очень велико, т.к. входная цепь от вы-
ходной цепи изолирована диэлектриком.
Относительно небольшой коэффиц
ент
усиления по току.
Очень большой коэф
фициент усил
е
ния по току.
Необходимость специальных мер по пов
ы-
шению помехоустойчивости.
Высокая помехоустойчивость.
Высокая вероятность саморазогрева и
вторичного пробоя: су
жение области
безопасной работы (ОБР).
Низкая вероятность теплового
саморазогрева и вт
о-
ричного пробоя – расширение ОБР.
Высокая чувствительность к токовым п
е-
регрузкам.
Низкая чувствительность к токовым п
е
регрузкам.
З
С
И
З
С
И
Рис. 4.11. Условные графические обозначения МДП-транзистора
с индуцированным каналом n-типа (а) и p-типа (б)

Страницы