Физические основы электроники. Глазачев А.В - 90 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
90
порзи
U
порзи1зи
UU
>
1зи2зи
UU
>
2зи3зи
UU
>
3зи4зи
UU
>
4зи5зи
UU
>
к
I
кэ
U
Рис. 4.14.
Конструкции
IGBT
:
и модульное (б) испо
л
нение;
условное графическое обозначение: отечественное (в); зарубежное (г)
Рис. 4.15. Типовые коллекторные характеристики
Процесс запирания IGBT представлен на рис. 4.16. Заряд, накопленный в базе биполярного
транзистора, вызывает характерный «хвост» тока при выключении IGBT. Как только имеющийся в
составе IGBT полевой транзистор прекращает
проводить ток, в силовой цепи начинается
рекомбинация неосновных носителей, кото-
рая является началом «хвоста». Этот «хвост»
ведет к увеличению тепловых потерь, а также
его необходимо учитывать в мостовых схе-
мах и вводить промежуток между интерва-
лами проводимости двух ключей, установ-
ленных в одном плече моста. Для уменьше-
ния «хвоста» необходимо снизить коэффици-
ент усиления биполярного транзистора, но
тогда увеличивается напряжение насыщения
открытого IGBT, и соответственно – статиче-
ские потери.
Тем не менее, несмотря на отмеченные особенности IGBT на сегодняшний день представля-
ются самыми перспективными элементами для использования в качестве силовых управляемых клю-
чей в диапазоне мощностей от единиц киловатт до единиц мегаватт.
Контрольные вопросы
1. Какие разновидности полевых транзисторов существуют?
2. Почему полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом не должны работать при
прямом напряжении на входе
зи
U ?
3. Почему при изменении напряжения
си
U толщина кнала вдоль его длины меняется неди-
наково?
4. Чем отличается полевой транзистор с изолированным затвором от транзистора с управ-
ляющим p–n-переходом?
5. Чем отличаются структуры МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным кана-
лом? Как это отличие отражается на статических характеристиках?
6. Нарисуйте и объясните управляющие и выходные характеристики полевого транзистора.
7. Дайте сравнительную характеристику МДП- и биполярного транзистора.
8. Что такое комбинированный транзистор?
9. Какие преимущества биполярных и полевых транзисторов сочетает в себе IGBT?
t
к
кэ
, iU
к
i
кэ
U
Рис. 4.16.
Процесс запирания
IGBT

Страницы