ВУЗ:
Составители:
12 3 4 5 6 7
8
9
10
11 12 13
14
Рис. 1.6. Группа Transistors
1 и 2 – Биполярные n–p–n и p–n–p транзисторы.
3. n-канальный с управляющим p-n переходом.
4. p-канальный с управляющим p-n переходом.
5. Трехэлектродный n-канальный с изолированным затвором.
1. Трехэлектродный p-канальный с изолированным затвором.
2. Четырехэлектродный n-канальный с изолированным затвором.
3. Четырехэлектродный p-канальный с изолированным затвором.
4. Трехэле ром.
5. Трехэлектрод затвором.
6.
нальный арсенид-галиевый полевой транзистор.
9. p-канальный арсенид-галиевы полевой транзистор.
различные операционные усили-
тели
ктродный n-канальный с обогащенным затво
ный p-канальный с обогащенным
Четырехэлектродный
n-канальный с обогащенным затвором.
7. Четырехэлектродный p-канальный с обогащенным затвором.
8. n-ка
й
§6. Аналоговые микросхемы
В этой библиотеке представлены
(рис. 1.7):
1
23 45
Рис. 1.7. Аналоговые микросхемы
11
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
