Специальные главы материаловедения для сварщиков. Гнюсов С.Ф. - 21 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

касательных напряжений. В реальном кристалле имеющиеся дислока-

ции допускают более легкий сдвиг атомных плоскостей, определяющий

пластическую деформацию, при гораздо меньших напряжениях. Зависи-

мость прочности кристалла от плотности дислокаций показана на рис.

8. При наличии дислокаций критическое напряжение течения определя-

ется по формуле

кр

≈ 2G

- 4

где G – модуль сдвига.

Рис. 8. Прочность кристалла в зависимости от искажений решетки

2. Предел текучести

Процесс пластического течения является температурно-зависи-

мым, что можно видеть по изменению диаграммы напряжение-деформа-

ция, снятой при различных температурах.

Переход от упругой к пластической деформации определяется на-

чалом необратимого движения дислокаций в решетке. При этом также

возможно взаимодействие между дислокациями и внедренными атома-

ми.

В ненагруженном кристалле часть инородных атомов диффунди-

рует к дислокациям (что определяется при этом происходящим сниже-

нием энергии дислокаций). При этом вокруг дислокаций образуются ат-

мосферы атомов примесей – облака Котрелла. В этих облаках атомов

примесей больше, чем в среднем в кристалле.

В нагруженном кристалле для отрыва дислокаций от облаков Ко-

трелла необходимо приложить более высокое напряжение (σ

), чем