Специальные главы материаловедения для сварщиков. Гнюсов С.Ф. - 24 стр.

UptoLike

Составители: 

где а коэффициент удельного твердорастворного упрочнения для дан-
ного вида атомов; с концентрация атомов примесей (легирующих эле-
ментов), %; G модуль сдвига для данной матрицы; τ
кр
критическое
напряжение течения для данного материала.
Упрочнение твердого раствора при взаимодействии дислокаций с
атомами внедрения (C, O, H, N) больше, чем при взаимодействии дисло-
каций с атомами замещения. Это определяется не только спецификой
создаваемых полей напряжений вокруг дислокаций (особенно вокруг
винтовых), но и тем, что междоузельные атомы определяют возникнове-
ние нормальных и тангенциальных напряжений, которые вступают во
взаимодействие со всеми дислокациями. Поэтому атомы внедрения
сильнее взаимодействуют с дислокациями, чем атомы замещения.
В технике используется упрочнение твердых растворов, которые
оказываются прочнее чистых компонентов. При этом имеет значение
растворимость атомов примесей в матрице: чем меньше растворимость,
тем сильнее сказывается твердорастворное упрочнение, так как атомы
примесей главным образом взаимодействуют с дислокациями.
Упрочнение в твердых растворах возможно также в результате
упорядочения. Сначала образуется межфазная граница, а затем сверх-
дислокации, которые, переходя в соседнюю систему скольжения, пре-
пятствуют перемещению других дислокаций.
6. Процессы деформации в поликристаллических материалах
При обсуждении процесса пластического течения в поликристал-
лах необходимо принять во внимание:
1) различную ориентировку отдельных кристаллов;
2) наличие границ зерен как препятствий движению дислокаций;
3) различные упругие и пластические свойства кристаллов, если
речь идет о двухфазных поликристаллах.
7. Микропластичность
Процесс скольжения сначала происходит в отдельных немногих
благоприятно ориентированных кристаллах. Движение дислокаций во
всем конгломерате кристаллов предполагает реализацию нескольких си-
стем скольжения (аккомодационное скольжение).
Таким образом, вначале пластическая деформация будет не-
большой и в немногих благоприятно ориентированных кристаллах, пока
напряжение не возрастет до высоких значений, необходимых для совме-
щения деформации в стыкующихся кристаллитах (зернах).
24