ВУЗ:
Составители:
Профессор Н.Д. Томашов в своих работах показал, что образова-
ние пленок на поверхности металла – явление электрохимическое. Он
доказал, что скорость роста окисных пленок зависит больше не от ради-
уса атомов, а от радиусов ионов металла (табл. 7).
Таблица 7
Атомные и ионные радиусы
Атом Радиус атома, Å Ион Радиус иона, Å
Mg 1,62 Mg
++
0,65
Al 1,43 Al
+++
0,5
Cr 1,25 Cr
+++
0,65
Fe 1,26 Fe
++
0,75
Mo 1,39 Mo
++++++
0,62
O 0,6 O
--
1,4
Из таблицы видно, что иону металла диффундировать гораздо
легче, чем атому. Опыты показывают, что чем меньше ион металла, тем
легче идет диффузия. Это дало повод профессору Томашову сделать вы-
вод о том, что ионы диффундируют быстрее, чем атомы, а у металлои-
дов (O
2
, F, S, Cl, Br, J) наоборот.
Образование окисной пленки на поверхности металла можно
рассматривать с точки зрения работы своеобразного гальванического
элемента, где поверхность металла на границе с пленкой – анод этого
элемента (дает катионы и электроны), поверхность пленки на границе с
реагентом (и частично сама пленка) – катод (рис. 25). На границе по-
верхности пленки с реагентом осуществляется ассимиляция электронов
кислородом. Пленка, обладая смешанной ионно-электронной проводи-
мостью, работает одновременно как внутренняя и внешняя цепь замкну-
той ячейки.
Согласно ионно-электронной
теории в пленке не только идет
диффузия ионов под влиянием гра-
диента концентрации, но и осуще-
ствляется, главным образом,
направленная миграция ионов в
электрическом поле, создаваемом
разницей потенциалов на внешней
и внутренней поверхностях окисла.
Исходя из изложенного, ско-
рость роста пленки можно поста-
Рис. 25. Схема ионно-электронно-
го механизма роста пленки
71
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 69
- 70
- 71
- 72
- 73
- …
- следующая ›
- последняя »
