Исследование поверхности наноматериалов с помощью сканирующей зондовой микроскопии. Годымчук А.Ю - 7 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 2. Схема организации системы обратной связи СЗМ

Аналогичным образом организована схема ООС при реализации

метода СТМ, однако в нём вместо контроля силы взаимодействия

используют контроль протекающего туннельного тока. Пусть к

поверхности электропроводящего образца на расстояние некоторого

малого зазора подведен металлический зонд, заканчивающийся одним

атомом. При расстоянии между ними, сравнимом с межатомным (0.1 –

0.3 нм), волновые функции электронов, принадлежащих атому зонда и

ближайших к нему атомов на поверхности образца, будут

перекрываться, обеспечивая, таким образом, благоприятные условия для

туннелирования электронов через этот зазор. Туннельный ток в зазоре

экспоненциально (с отрицательным показателем) зависит от величины

зазора, а, следовательно, очень чувствителен к атомно-структурным

неоднородностям на поверхности образца. За счет этого, перемещая

зонд вдоль поверхности и контролируя протекающий по нему

туннельный ток, можно анализировать топологию поверхности с

атомным разрешением. В СТМ эта идея реализуется следующим

образом (рис.3) [2].

Рис. 3. Относительное расположение зонда и подложки в СТМ