Электроника: Сборник лабораторных работ по курсу "Электротехника и электроника". Голобородько Е.И - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

- 13 -
коллектора i
к
. Если отсоединить провод коллектора, вместо транзистора, мы
будем иметь дело только с эмиттерно-базовым p-n переходом, т. е. своего рода
полупроводниковым диодом, направление проводимости которого показано
стрелкой на эмиттере (рис. 2.1).
Рис. 2.1. Схема электрическая принципиальная кассеты №1
Вольтамперная характеристика его известна и применительно к эмиттер-
но-базовому переходу транзистора называется входной характеристикой тран-
зистора.
При подключении напряжения к коллектору через эмиттерно-базовый пе-
реход будет проходить помимо i
б
еще и i
к
, что повысит напряжение на этом пе-
реходе при тех же токах базы i
б
. Входная характеристика сдвинется вправо
(рис. 2.2).
Рассмотрим теперь, как зависит ток коллектора от напряжения эмиттер-
коллектора i
к
(u
эк
). Здесь, если не вдаваться в физику процессов в транзисторе,
может показаться, что он ведет себя странно. Не странно ли видеть устройство,
напряжение на котором увеличили в 2-3 раза, а ток остался прежним? Похоже
на нарушение закона Ома. Между тем транзистор на большей части выходной
характеристики i
к
(u
эк
) ведет себя именно так, или почти так: см. горизонталь-
ные ветви характеристик (рис. 2.3) и только при очень малых напряжениях ток
коллектора i
к
оказывается примерно пропорционален напряжению u
эк
. Надо
отметить, что при очень больших напряжениях они резко пойдут вверх, но это
уже будет свидетельствовать о перегреве транзистора и о нарушении электри-
ческой прочности его p-n переходов. В связи с последним в паспортных данных
транзисторов указывается рабочее, предельно допустимое напряжение, а также
предельно допустимая мощность, которые могут выделяться на транзисторе с
радиатором и без него.

Страницы