ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
- 21 -
Разумеется, что для каждого из этих графиков свой масштаб по оси орди-
нат, для i
б
, например в β раз отличается от масштаба для i
к
.
На кривой i
б
(t) образуется нижняя горизонтальная площадка. Такую же
форму будет иметь кривая i
к
(t) при токах в
β
раз больших, чем i
б
(t). Однако i
к
не может быть больше, чем
к
R
U
П
, поэтому при больших амплитудах u
вх
на
кривой i
к
(t) может появляться и верхняя площадка. В выходном напряжении
сигнал еще и инвертируется (рис. 3.6). Лишь для малых амплитуд входного
сигнала рабочий участок входной характеристики можно считать близким к от-
резку прямой линии и пренебрегать нелинейными искажениями. Тогда выход-
ное напряжение представится симметричной кривой.
Рассмотрим теперь работу усилителя на выходных характеристиках
транзистора (рис. 3.7).
Рис. 3.7. Выходные характеристики транзистора и нагрузочная прямая
Кроме них на графике показана вольтамперная характеристика (ВАХ)
сопротивления R
к
(пунктиром) и ее зеркальное изображение, называемое
линией нагрузки. Вспомним расчет простейших нелинейных цепей с
последовательным соединением двух элементов. Для любой выходной
вольтамперной характеристики транзистора точка пересечения с линией
нагрузки своей ординатой имеет соответствующий ток коллектора i
к
, а
абсциссой – напряжение u
эк
. При этом отрезок по оси абсцисс от конкретного
значения u
эк
в данный момент до U
П
представляет напряжение на сопро-
тивлении R
К
: u
Rк
=U
П
– u
эк
.
Увеличивая ток базы i
б
мы переходим на графике к более высоко располо-
женной выходной характеристике, получаем бóльшие значения тока коллектора
и напряжения u
Rк
и меньшие u
эк
. Как видно, увеличение тока базы выше 25 мА
не приводит к этим эффектам: транзистор полностью открыт. На нем оказыва-
ется только остаточное напряжение U
ост
< 1В, а ток ограничен сопротивлени-
ем R
к
и равен теперь
.
к
ост
к
R
uU
i
П
−
=
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
