Составители:
1
Лабораторная работа № 6
Изучение записи и чтения из энергонезависимой памяти данных
микроконтроллеров фирмы Microchip Technology
Цель работы: ознакомление с процессами чтения и записи в
энергонезависимую память данных PIC-контроллеров (на примере PIC16F877)
и приемами программирования EEPROM.
Методические указания
1. EEPROM ПАМЯТЬ ДАННЫХ
Данные из EEPROM памяти и FLASH памяти программ могут быть
прочитаны/перезаписаны в нормальном режиме работы микроконтроллера во
всем диапазоне напряжения питания VDD. Операции выполняются с одним
байтом для EEPROM памяти данных и одним словом. Запись производится по
принципу "стирание – запись" для каждого байта. Сформированная кодом
программы операция стирания не может выполнена
при включенной защите
записи.
Число циклов стирания/записи смотрите в разделе электрических
характеристик (для EEPROM памяти данных EEPROM память данных должна
использоваться для сохранения часто изменяемых данных. Время записи
данных управляется внутренним таймером, оно зависит от напряжения
питания, температуры и имеет небольшой технологический "разброс". При
записи байта автоматически стирается соответствующая ячейка, а затем
выполняется запись. Запись в EEPROM память программ не воздействует на
выполнение программы. В течение операции записи тактовый генератор
продолжает работать, периферийные модули включены. Доступ к функциям
записи/чтения EEPROM памяти данных и FLASH памяти программ
выполняется через шесть регистров специального назначения:
EEDATA;
EEDATH;
EEADR;
EEADRH;
EECON1;
EECON2.
Операции чтения/записи EEPROM памяти данных не приостанавливают
выполнение программы. В
регистре EEADR сохраняется адрес ячейки
EEPROM памяти данных. Данные сохраняются/читаются из регистра EEDATA.
В микроконтроллерах PIC16F873/874 объем EEPROM памяти 128 байт.
Старший бит адреса в регистре EEADR всегда должен равняться нулю, потому
что не поддерживается циклическая адресация (т. е. ячейка с адресом 0
×80 не
