ВУЗ:
Рубрика:
5
ются на исследуемую деталь клеями БФ-2, ЦИАКРИН-30, целлуло-
идным и др. При нагружении детали ее деформация воспринимается
проволочной решеткой, что сопровождается изменением сопротив-
ления тензорезисторов на величину ∆R:
X X YY
R
SS
R
∆
= ε+ ε
, (1)
где
,
XY
εε
− относительные деформации в направлениях Х и Y;
,
XY
SS
− коэффициенты продольной и поперечной тензочувстви-
тельности тензорезистора (
XY
SS>
).
Чувствительность тензорезистора к поперечным деформациям
связана с наличием на концах петель закруглений. Чем меньше доля
закругленных участков в проволочной решетке, тем меньше влия-
ние поперечной деформации. Поэтому для тензорезисторов с ба-
зой l ≥ 5 мм поперечную тензочувствительность
Y
S
не учитывают.
Фольговые тензорезисторы (рисунок 1,б) изготовляют из кон-
стантановой фольги методом фототравления. Преимущества таких
тензорезисторов заключаются в малой чувствительности к по-
перечной деформации благодаря широким перемычкам, а также хо-
рошей теплопередаче, что позволяет, с одной стороны, несколько
расширить диапазон рабочих температур, с другой − увеличить ра-
бочий ток и тем самым повысить чувствительность электрической
схемы, в которую включен тензорезистор.
Полупроводниковые тензорезисторы (рисунок 1,в) представ-
ляют собой тонкую и узкую пластинку 1 из монокристаллов крем-
ния или германия, вырезанную в определенном кристаллографиче-
ском направлении. По обоим концам пластинки закреплены корот-
кие выводы из золотой проволоки 2, к концам которых приварены
медные проводники 3. Основным преимуществом полупроводнико-
вых тензорезисторов является высокий коэффициент тензочувстви-
тельности, доходящий до 200 и более, что позволяет измерять ма-
лые деформации без усиления выходного сигнала. Недостатками
полупроводниковых тензорезисторов являются существенная зави-
симость их удельного сопротивления от кристаллографического
направления, примесей и температуры, а также нестабильность чув-
ствительности во времени.
ются на исследуемую деталь клеями БФ-2, ЦИАКРИН-30, целлуло-
идным и др. При нагружении детали ее деформация воспринимается
проволочной решеткой, что сопровождается изменением сопротив-
ления тензорезисторов на величину ∆R:
∆R
= S X ε X + SY εY , (1)
R
где ε X , εY − относительные деформации в направлениях Х и Y;
S X , SY − коэффициенты продольной и поперечной тензочувстви-
тельности тензорезистора ( S X > SY ).
Чувствительность тензорезистора к поперечным деформациям
связана с наличием на концах петель закруглений. Чем меньше доля
закругленных участков в проволочной решетке, тем меньше влия-
ние поперечной деформации. Поэтому для тензорезисторов с ба-
зой l ≥ 5 мм поперечную тензочувствительность SY не учитывают.
Фольговые тензорезисторы (рисунок 1,б) изготовляют из кон-
стантановой фольги методом фототравления. Преимущества таких
тензорезисторов заключаются в малой чувствительности к по-
перечной деформации благодаря широким перемычкам, а также хо-
рошей теплопередаче, что позволяет, с одной стороны, несколько
расширить диапазон рабочих температур, с другой − увеличить ра-
бочий ток и тем самым повысить чувствительность электрической
схемы, в которую включен тензорезистор.
Полупроводниковые тензорезисторы (рисунок 1,в) представ-
ляют собой тонкую и узкую пластинку 1 из монокристаллов крем-
ния или германия, вырезанную в определенном кристаллографиче-
ском направлении. По обоим концам пластинки закреплены корот-
кие выводы из золотой проволоки 2, к концам которых приварены
медные проводники 3. Основным преимуществом полупроводнико-
вых тензорезисторов является высокий коэффициент тензочувстви-
тельности, доходящий до 200 и более, что позволяет измерять ма-
лые деформации без усиления выходного сигнала. Недостатками
полупроводниковых тензорезисторов являются существенная зави-
симость их удельного сопротивления от кристаллографического
направления, примесей и температуры, а также нестабильность чув-
ствительности во времени.
5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
