ВУЗ:
Составители:
нюю область транзистора, расположенную между электронно-дырочными
переходами, называют базой (Б). Примыкающие к базе области обычно
делают неодинаковыми. Одну из областей делают так, чтобы из нее наи-
более эффективно проходила инжекция носителей в базу, а другую - так,
чтобы p-n-переход между базой и этой областью наилучшим образом со-
бирал инжектированные в базу носители, то есть осуществлял экстракцию
носителей из базы.
Область транзистора, основным назначением которой является ин-
жекция носителей в базу, называют эмиттером (Э), а p-n-переход между
базой и эмиттером - эмиттерным (ЭП). Область транзистора, основным
назначением которой является собирание, экстракция носителей заряда из
базы, называют коллектором (К), а p-n-переход между базой и коллекто-
ром - коллекторным (КП). В зависимости от типа электропроводности
крайних слоев (эмиттера и коллектора) различают транзисторы p-n-р и
n-p-п типа. В обоих типах транзисторов физические процессы аналогичны,
они различаются только типом инжектируемых и экстрагируемых носите-
лей и имеют одинаково широкое применение.
На принципиальных электрических схемах транзисторы изображают
условными графическими обозначениями, представленными на рис. 5.2.
Транзистор, как уже говорилось, имеет три электрода. Выбор одного
из электродов в качестве общего для входа, подключенного к источнику, и
выхода на нагрузку дает в принципе шесть основных схем усилителей. Из
них только три получили широкое распространение: схема с общей базой,
эмиттером в качестве входа и коллектором в качестве выхода; схема с об-
щим эмиттером, где база служит входом, а коллектор - выходом; схема
с общим коллектором, где база служит входом, а эмиттер - выходом. Наи-
более часто используют схему с общим эмиттером.
Б
Б
б
а
Рис.
5.2. Условные обозначения транзисторов:
а - транзистор p-n-р типа; б - транзистор n-p-п типа
42
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
