Основы автоматики. Гордеев А.С. - 136 стр.

           Полупроводниковый тензорезистор (рис.9.6) представляет собой
       кристалл кремния (n-проводимость) 1 с нанесенной на его поверх-
       ность дорожкой другого полупроводника с p-проводимостью – тен-
       зорезиста 2. Сопротивление дорожки 2 тензорезистора равно
                                    R= ρl/s,
           где ρ- удельное сопротивление материала тензорезиста; l- длина
       дорожки тензорезиста; s- площадь поперечного сечения тензорезиста.
           При деформации дорожки под действием силы F, например, при
       ее сжатии, изменяется эффективная длина l (увеличивается) и пло-
       щадь поперечного сечения s (уменьшается). В результате изменяется
       сопротивление подложки R (увеличивается), а значит и всего p-n пе-
       рехода тензорезистора. Это изменение сопротивления фиксируется
       электронной схемой – таким образом, измеряется сила F.




         Рисунок 9.6 – Тензорезистор: 1-полупроводниковый кристалл; 2- дорожка
                      тензорезиста с p-проводимостью; 3- электроды.

           Тензорезистор крепится к детали, которая воспринимает какие-
       либо усилия F. Чувствительность тензорезисторных преобразовате-
       лей определяется тензорезисторным коэффициентом – отношением
       изменения сопротивления активной части тензорезистора к измене-
       нию приложенной силы. У большинства проволочных тензорезисто-
       ров К ~ 2, а у полупроводниковых – К ~ 100.
           Применяются тензорезисторы для измерения сил, деформаций и
       малых перемещений.



       136

PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com